비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법

Abstract

본 발명은 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 커패시터리스 디램 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 비휘발성 반도체 메모리 소자는 기판 상에 형성되고, 전기적 신호에 따라 저항값이 변화되는 저항변화물질을 포함하는 절연층, 절연층 상에 형성된 부유바디셀, 절연층 상의 부유바디셀 양측에 형성된 소오스와 드레인 및 부유바디셀 상에 형성된 게이트를 포함한다. 본 발명에 따른 비휘발성 반도체 메모리 소자는 전원 공급 시 고속 동작이 가능하며, 전원 공급이 중단되더라도 저항변화물질을 이용하여 데이터를 저장하고 지속적으로 유지 할 수 있다. 디램, 커패시터리스 디램(Capacitorless DRAM), 저항변화메모리(Resistance Random Access Memory, RRAM), 비휘발성 메모리