비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법

Abstract

본 발명은 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 비휘발성 반도체 메모리 소자는, 기판, 기판 상에 형성된 반도체기둥, 반도체기둥 상에 형성된 하드마스크, 반도체기둥의 양측에 각각 형성된 게이트 전극, 게이트 전극이 형성된 방향과 다른 방향으로 형성되고, 또한 반도체 기둥의 양측에 각각 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극, 하드마스크의 주위를 둘러싸도록 형성되고, 전기적 신호에 따라 저항값이 변화되는 저항변화물질을 포함하는 저항변화물질층, 저항변화물질층 상에 형성된 금속층을 포함한다. 본 발명에 따른 비휘발성 반도체 메모리 소자는 전원 공급 시 고속 동작이 가능하며, 전원 공급이 중단되더라도 저항변화물질을 이용하여 데이터를 저장하고 지속적으로 유지 할 수 있다. 디램, 커패시터리스 디램(Capacitorless DRAM), 저항변화메모리 Resistance Random Access Memory, RRAM), 비휘발성 메모리