반도체 장치의 제조방법Method of fabricating a semiconductor device
본 발명은 관통 실리콘 비아를 형성하고 관통 전극을 형성하는 공정의 기술 난이도 및 제조비용을 낮추고 웨이퍼 기판의 핸들링이 용이한 반도체 장치의 제조방법을 위하여, 제1영역 및 제2영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계, 상기 제1영역에서 상기 기판 내에 비아홀을 형성하는 단계, 상기 제1영역에서 상기 기판의 하부면으로부터 상기 기판의 일부를 제거하여 박형화(thinning)하는 단계, 상기 비아홀을 충전(充塡)하여 관통전극을 형성하는 단계 및 상기 제2영역에서 상기 기판의 하부면으로부터 상기 기판의 일부를 제거하여 박형화하는 단계를 포함하는, 반도체 장치의 제조방법을 제공한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2014-01-07
- Application Date
- 2012-02-02
- Application Number
- 10-2012-0010821
- Registration Date
- 2014-01-07
- Registration Number
- 10-1350780-0000
- Appears in Collection
- RIMS Patents
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