반도체 장치의 제조방법Method of fabricating a semiconductor device
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김정우 | ko |
| dc.contributor.author | 강희오 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T09:15:28Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T09:15:28Z | - |
| dc.date.issued | 2014-01-07 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/232291 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 관통 실리콘 비아를 형성하고 관통 전극을 형성하는 공정의 기술 난이도 및 제조비용을 낮추고 웨이퍼 기판의 핸들링이 용이한 반도체 장치의 제조방법을 위하여, 제1영역 및 제2영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계, 상기 제1영역에서 상기 기판 내에 비아홀을 형성하는 단계, 상기 제1영역에서 상기 기판의 하부면으로부터 상기 기판의 일부를 제거하여 박형화(thinning)하는 단계, 상기 비아홀을 충전(充塡)하여 관통전극을 형성하는 단계 및 상기 제2영역에서 상기 기판의 하부면으로부터 상기 기판의 일부를 제거하여 박형화하는 단계를 포함하는, 반도체 장치의 제조방법을 제공한다. | - |
| dc.title | 반도체 장치의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Method of fabricating a semiconductor device | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 강희오 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2012-0010821 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1350780-0000 | - |
| dc.date.application | 2012-02-02 | - |
| dc.date.registration | 2014-01-07 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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- RIMS Patents
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