극소채널 MOS 트랜지스터 제조방법

Abstract

【과제】바이어스가 더해지지 않는 상태에서도 실리콘 기판에 반전층이 형성되고，얇은 반전층이 소스/드레인의 역할을 다하고단 채널 효과를 감소함과 동시에，채널로의 캐리어의 이동도를 증가한 MOS 트랜지스터의 제조 방법． 【해결 수단】반도체 기판 110 위에 게이트 절연막 120a와 ，주 게이트 150과 분리용 절연막 170을 형성한 스텝；분리용 절연막상에 반도체 기판 및 주 게이트보다(부터) 일 함수가 작은 측면 게이트용 물질층을 형성한 스텝；측면 게이트용 물질층과 분리용 절연막을 이방성 에칭 하여 분리용 절연막 패턴 170a와 측면 게이트 180a를 형성한 스텝；소스/드레인 190b를 각각 형성한 스텝； 및 소스와 이것에 인접한 측면 게이트 및/ 또는 드레인과 이것에 인접한 측면 게이트를 각각 전기적에 접속한 도전막 패턴 197a를 결과 물상에 형성한 스텝을 포함한다．