촉매 금속 식각 방법을 이용한 수직 나노 구조체의 제작방법, 이를 이용하여 제조된 수직 실리콘 나노 구조체, 및 이를 포함하는 소자Methods of improvement of the vertically aligned silicon nanowire fabricated by Metal-assisted Chemical Etching method
금속 촉매 식각 방법을 이용하여 수직 실리콘 나노선을 제작하는 과정에 있어서, 나노선을 효율적으로 이용하기 위해서는 간격이 조밀하고 길이가 긴 나노선을 이용하게 된다. 이러한 종횡비가 큰 실리콘 나노선의 제작 과정 중에는 나노선 의 리닝(leaning) 현상이 발생하여, 결과적으로 이웃하는 나노선 간에 뭉침 현상이 일어날 수 있다. 본 발명은 금속 촉매 식각 과정 중 이러한 이웃하는 나노선 간의 뭉침 현상을 방지하기 위하여, 나노선의 리닝(leaning)을 막아, 기계적으로 안정한 구조를 가질 수 있는 제조 방법과 이를 통해 제조된 나노 구조체 및 이를 포함하는 소자를 제공하고자 한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2014-01-14
- Application Date
- 2012-11-26
- Application Number
- 10-2012-0134272
- Registration Date
- 2014-01-14
- Registration Number
- 10-1353373-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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