촉매 금속 식각 방법을 이용한 수직 나노 구조체의 제작방법, 이를 이용하여 제조된 수직 실리콘 나노 구조체, 및 이를 포함하는 소자Methods of improvement of the vertically aligned silicon nanowire fabricated by Metal-assisted Chemical Etching method
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이석희 | ko |
| dc.contributor.author | 정현호 | ko |
| dc.contributor.author | 최지훈 | ko |
| dc.contributor.author | 김태균 | ko |
| dc.contributor.author | 임성묵 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T08:24:51Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T08:24:51Z | - |
| dc.date.issued | 2014-01-14 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/231802 | - |
| dc.description.abstract | 금속 촉매 식각 방법을 이용하여 수직 실리콘 나노선을 제작하는 과정에 있어서, 나노선을 효율적으로 이용하기 위해서는 간격이 조밀하고 길이가 긴 나노선을 이용하게 된다. 이러한 종횡비가 큰 실리콘 나노선의 제작 과정 중에는 나노선 의 리닝(leaning) 현상이 발생하여, 결과적으로 이웃하는 나노선 간에 뭉침 현상이 일어날 수 있다. 본 발명은 금속 촉매 식각 과정 중 이러한 이웃하는 나노선 간의 뭉침 현상을 방지하기 위하여, 나노선의 리닝(leaning)을 막아, 기계적으로 안정한 구조를 가질 수 있는 제조 방법과 이를 통해 제조된 나노 구조체 및 이를 포함하는 소자를 제공하고자 한다. | - |
| dc.title | 촉매 금속 식각 방법을 이용한 수직 나노 구조체의 제작방법, 이를 이용하여 제조된 수직 실리콘 나노 구조체, 및 이를 포함하는 소자 | - |
| dc.title.alternative | Methods of improvement of the vertically aligned silicon nanowire fabricated by Metal-assisted Chemical Etching method | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 이석희 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 정현호 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 최지훈 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김태균 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 임성묵 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2012-0134272 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1353373-0000 | - |
| dc.date.application | 2012-11-26 | - |
| dc.date.registration | 2014-01-14 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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