독립적 및 대칭적인 이중 게이트 구조를 이용한 전자-정공 이중층 터널 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법Independent and Symmetric Double Gated electron-hole Bilayer Tunnel Field Effect transistor and its Fabrication Method
본 발명은 대칭적인 이중 게이트 구조를 가지는 전자-정공 이중층 터널 전계효과 트랜지스터 및 상기 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로,이중 게이트 p-i-n구조 및 밴드간 터널링을 이용한 것으로서 문턱전압 이하에서의 기울기의 개선과 동작 전류의 증가를 가져올 수 있고, 대칭구조의 게이트를 제안함으로써 실제 구현가능한 대칭적인 이중 게이트 구조를 가지는 전자-정공 이중층 터널 전계효과 트랜지스터 및 상기 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2014-05-27
- Application Date
- 2012-12-11
- Application Number
- 10-2012-0143844
- Registration Date
- 2014-05-27
- Registration Number
- 10-1402697-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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