박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법

Abstract

본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조 방법은 화학 기상 증착법(CVD)을 이통해 기판 상에 24nm 내지 44nm의 두께로 금속 산화물 박막을 성막하여 금속 산화물 활성층을 형성하는 단계를 포함한다.따라서, 본 발명에 의하면 금속 산화물 박막을 화학 기상 증착법(CVD)으로 제작함으로써 공정을 단순화시킬 수 있고, 생산성 향상은 물론 생산 비용을 절감시킬 수 있다. 또한, 화학 기상 증착법(CVD)을 통해 금속 산화물 박막의 두께를 최적화 할 수 있고, 이로 인해 박막 트랜지스터의 동작 특성을 향상시킬 수 있다.금속 산화물 박막, 금속 산화물 활성층, 박막 트랜지스터