박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법Thin film transistor and method of manufacturing the same

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본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조 방법은 화학 기상 증착법(CVD)을 이통해 기판 상에 24nm 내지 44nm의 두께로 금속 산화물 박막을 성막하여 금속 산화물 활성층을 형성하는 단계를 포함한다.따라서, 본 발명에 의하면 금속 산화물 박막을 화학 기상 증착법(CVD)으로 제작함으로써 공정을 단순화시킬 수 있고, 생산성 향상은 물론 생산 비용을 절감시킬 수 있다. 또한, 화학 기상 증착법(CVD)을 통해 금속 산화물 박막의 두께를 최적화 할 수 있고, 이로 인해 박막 트랜지스터의 동작 특성을 향상시킬 수 있다.금속 산화물 박막, 금속 산화물 활성층, 박막 트랜지스터
Assignee
주성엔지니어링(주),한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2015-07-03
Application Date
2008-09-12
Application Number
10-2008-0090367
Registration Date
2015-07-03
Registration Number
10-1535546-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/231363
Appears in Collection
RIMS Patents
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