박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법Thin film transistor and method of manufacturing the same

Cited 0 time in webofscience Cited 0 time in scopus
  • Hit : 140
  • Download : 0
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.author박재우ko
dc.contributor.author김철환ko
dc.contributor.author이형섭ko
dc.contributor.author권영호ko
dc.date.accessioned2017-12-20T07:20:59Z-
dc.date.available2017-12-20T07:20:59Z-
dc.date.issued2015-07-03-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/231363-
dc.description.abstract본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조 방법은 화학 기상 증착법(CVD)을 이통해 기판 상에 24nm 내지 44nm의 두께로 금속 산화물 박막을 성막하여 금속 산화물 활성층을 형성하는 단계를 포함한다.따라서, 본 발명에 의하면 금속 산화물 박막을 화학 기상 증착법(CVD)으로 제작함으로써 공정을 단순화시킬 수 있고, 생산성 향상은 물론 생산 비용을 절감시킬 수 있다. 또한, 화학 기상 증착법(CVD)을 통해 금속 산화물 박막의 두께를 최적화 할 수 있고, 이로 인해 박막 트랜지스터의 동작 특성을 향상시킬 수 있다.금속 산화물 박막, 금속 산화물 활성층, 박막 트랜지스터-
dc.title박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법-
dc.title.alternativeThin film transistor and method of manufacturing the same-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor박재우-
dc.contributor.nonIdAuthor김철환-
dc.contributor.nonIdAuthor이형섭-
dc.contributor.nonIdAuthor권영호-
dc.contributor.assignee주성엔지니어링(주),한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2008-0090367-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-1535546-0000-
dc.date.application2008-09-12-
dc.date.registration2015-07-03-
dc.publisher.countryKO-
Appears in Collection
RIMS Patents
Files in This Item
There are no files associated with this item.

qr_code

  • mendeley

    citeulike


rss_1.0 rss_2.0 atom_1.0