박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법Thin film transistor and method of manufacturing the same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 박재우 | ko |
| dc.contributor.author | 김철환 | ko |
| dc.contributor.author | 이형섭 | ko |
| dc.contributor.author | 권영호 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T07:20:59Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T07:20:59Z | - |
| dc.date.issued | 2015-07-03 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/231363 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조 방법은 화학 기상 증착법(CVD)을 이통해 기판 상에 24nm 내지 44nm의 두께로 금속 산화물 박막을 성막하여 금속 산화물 활성층을 형성하는 단계를 포함한다.따라서, 본 발명에 의하면 금속 산화물 박막을 화학 기상 증착법(CVD)으로 제작함으로써 공정을 단순화시킬 수 있고, 생산성 향상은 물론 생산 비용을 절감시킬 수 있다. 또한, 화학 기상 증착법(CVD)을 통해 금속 산화물 박막의 두께를 최적화 할 수 있고, 이로 인해 박막 트랜지스터의 동작 특성을 향상시킬 수 있다.금속 산화물 박막, 금속 산화물 활성층, 박막 트랜지스터 | - |
| dc.title | 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | Thin film transistor and method of manufacturing the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 박재우 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김철환 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이형섭 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 권영호 | - |
| dc.contributor.assignee | 주성엔지니어링(주),한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2008-0090367 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1535546-0000 | - |
| dc.date.application | 2008-09-12 | - |
| dc.date.registration | 2015-07-03 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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