반도체 소자 및 이의 제조 방법SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
본 발명은 반도체 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 제 1 영역과 제 2 영역이 정의된 기판과, 상기 기판의 제 1 영역에 형성되어 N타입 금속 산화물 활성층을 갖는 제 1 타입의 박막 트랜지스터 및 상기 기판의 제 2 영역에 형성되어 P타입 금속 산화물 활성층을 갖는 제 2 타입의 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이와 같이 본 발명은 N타입과 P타입의 금속 산화물 박막을 박막 트랜지스터의 활성층으로 각기 사용하여 N타입 동작 특성과 P타입 동작 특성을 갖는 박막 트랜지스터들을 단일 기판 상에 제작할 수 있고, 박막 트랜지스터들의 동작 특성을 향상시킬 수 있다. 금속 산화물, 활성층, 박막 트랜지스터, N타입, P타입
- Assignee
- 주성엔지니어링(주),한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2014-10-24
- Application Date
- 2008-06-25
- Application Number
- 10-2008-0060107
- Registration Date
- 2014-10-24
- Registration Number
- 10-1456454-0000
- Appears in Collection
- RIMS Patents
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