반도체 소자 및 이의 제조 방법SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 박재우 | ko |
| dc.contributor.author | 김철환 | ko |
| dc.contributor.author | 이규환 | ko |
| dc.contributor.author | 이창재 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T07:20:57Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T07:20:57Z | - |
| dc.date.issued | 2014-10-24 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/231362 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 반도체 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 제 1 영역과 제 2 영역이 정의된 기판과, 상기 기판의 제 1 영역에 형성되어 N타입 금속 산화물 활성층을 갖는 제 1 타입의 박막 트랜지스터 및 상기 기판의 제 2 영역에 형성되어 P타입 금속 산화물 활성층을 갖는 제 2 타입의 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이와 같이 본 발명은 N타입과 P타입의 금속 산화물 박막을 박막 트랜지스터의 활성층으로 각기 사용하여 N타입 동작 특성과 P타입 동작 특성을 갖는 박막 트랜지스터들을 단일 기판 상에 제작할 수 있고, 박막 트랜지스터들의 동작 특성을 향상시킬 수 있다. 금속 산화물, 활성층, 박막 트랜지스터, N타입, P타입 | - |
| dc.title | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 박재우 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김철환 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이규환 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이창재 | - |
| dc.contributor.assignee | 주성엔지니어링(주),한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2008-0060107 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1456454-0000 | - |
| dc.date.application | 2008-06-25 | - |
| dc.date.registration | 2014-10-24 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
- Appears in Collection
- RIMS Patents
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.