가드링을 통과하는 저잡음 관통실리콘비아를 갖는 반도체칩 및 그를 이용한 적층 패키지SEMICONDUCTOR CHIP WITH LOW NOISE THROUGH SILICON VIA PENETRATING GUARD RING AND STACK PACKAGE USING THE SAM
본 발명은 가드링과 관통실리콘비아가 이격됨에 따라 발생하는 잡음(Noise)을 감소시킬 수 있는 반도체칩 및 그를 이용한 적층 패키지를 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 반도체칩은 실리콘기판; 상기 실리콘기판 내에 서로 일정간격 이격되어 불순물의 이온주입에 의해 형성된 제1도전형 가드링과 제2도전형 가드링; 상기 제1도전형 가드링과 실리콘기판을 관통하는 제1관통실리콘비아; 및 상기 제2도전형 가드링과 실리콘기판을 관통하는 제2관통실리콘비아를 포함하고, 상술한 본 발명은 이온주입에 의해 형성된 가드링을 관통하도록 관통실리콘비아를 형성하므로써 관통실리콘비아로부터 실리콘기판으로 발생하는 잡음을 분리할 수 있고, 아울러 실리콘기판에 존재하는 잡음으로부터 관통실리콘비아를 보호할 수 있는 효과가 있다.