가드링을 통과하는 저잡음 관통실리콘비아를 갖는 반도체칩 및 그를 이용한 적층 패키지SEMICONDUCTOR CHIP WITH LOW NOISE THROUGH SILICON VIA PENETRATING GUARD RING AND STACK PACKAGE USING THE SAM
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이준호 | ko |
| dc.contributor.author | 이형동 | ko |
| dc.contributor.author | 김현석 | ko |
| dc.contributor.author | 김정호 | ko |
| dc.contributor.author | 박현정 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T06:28:42Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T06:28:42Z | - |
| dc.date.issued | 2014-04-24 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/231085 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 가드링과 관통실리콘비아가 이격됨에 따라 발생하는 잡음(Noise)을 감소시킬 수 있는 반도체칩 및 그를 이용한 적층 패키지를 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 반도체칩은 실리콘기판; 상기 실리콘기판 내에 서로 일정간격 이격되어 불순물의 이온주입에 의해 형성된 제1도전형 가드링과 제2도전형 가드링; 상기 제1도전형 가드링과 실리콘기판을 관통하는 제1관통실리콘비아; 및 상기 제2도전형 가드링과 실리콘기판을 관통하는 제2관통실리콘비아를 포함하고, 상술한 본 발명은 이온주입에 의해 형성된 가드링을 관통하도록 관통실리콘비아를 형성하므로써 관통실리콘비아로부터 실리콘기판으로 발생하는 잡음을 분리할 수 있고, 아울러 실리콘기판에 존재하는 잡음으로부터 관통실리콘비아를 보호할 수 있는 효과가 있다. | - |
| dc.title | 가드링을 통과하는 저잡음 관통실리콘비아를 갖는 반도체칩 및 그를 이용한 적층 패키지 | - |
| dc.title.alternative | SEMICONDUCTOR CHIP WITH LOW NOISE THROUGH SILICON VIA PENETRATING GUARD RING AND STACK PACKAGE USING THE SAM | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 김정호 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이준호 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이형동 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김현석 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박현정 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원,에스케이하이닉스 주식회사 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2009-0064592 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1390877-0000 | - |
| dc.date.application | 2009-07-15 | - |
| dc.date.registration | 2014-04-24 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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