가드링을 통과하는 저잡음 관통실리콘비아를 갖는 반도체칩 및 그를 이용한 적층 패키지 SEMICONDUCTOR CHIP WITH LOW NOISE THROUGH SILICON VIA PENETRATING GUARD RING AND STACK PACKAGE USING THE SAM

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dc.contributor.author이준호ko
dc.contributor.author이형동ko
dc.contributor.author김현석ko
dc.contributor.author김정호ko
dc.contributor.author박현정ko
dc.date.accessioned2017-12-20T06:28:42Z-
dc.date.available2017-12-20T06:28:42Z-
dc.date.issued2014-04-24-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/231085-
dc.description.abstract본 발명은 가드링과 관통실리콘비아가 이격됨에 따라 발생하는 잡음(Noise)을 감소시킬 수 있는 반도체칩 및 그를 이용한 적층 패키지를 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 반도체칩은 실리콘기판; 상기 실리콘기판 내에 서로 일정간격 이격되어 불순물의 이온주입에 의해 형성된 제1도전형 가드링과 제2도전형 가드링; 상기 제1도전형 가드링과 실리콘기판을 관통하는 제1관통실리콘비아; 및 상기 제2도전형 가드링과 실리콘기판을 관통하는 제2관통실리콘비아를 포함하고, 상술한 본 발명은 이온주입에 의해 형성된 가드링을 관통하도록 관통실리콘비아를 형성하므로써 관통실리콘비아로부터 실리콘기판으로 발생하는 잡음을 분리할 수 있고, 아울러 실리콘기판에 존재하는 잡음으로부터 관통실리콘비아를 보호할 수 있는 효과가 있다.-
dc.title가드링을 통과하는 저잡음 관통실리콘비아를 갖는 반도체칩 및 그를 이용한 적층 패키지-
dc.title.alternativeSEMICONDUCTOR CHIP WITH LOW NOISE THROUGH SILICON VIA PENETRATING GUARD RING AND STACK PACKAGE USING THE SAM-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor김정호-
dc.contributor.nonIdAuthor이준호-
dc.contributor.nonIdAuthor이형동-
dc.contributor.nonIdAuthor김현석-
dc.contributor.nonIdAuthor박현정-
dc.contributor.assignee한국과학기술원,에스케이하이닉스 주식회사-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2009-0064592-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-1390877-0000-
dc.date.application2009-07-15-
dc.date.registration2014-04-24-
dc.publisher.countryKO-
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EE-Patent(특허)
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