애벌랜치 포토다이오드 및 그 제조방법AVALANCHE PHOTODIODE AND MANUFACTURE METHOD THEREFOR
본 발명은 애벌랜치 포토다이오드(Avalanche Photodiode)에 관한 것으로, 반사 억제층에 삽입되는 전극층, 상기 전극층의 하단에 형성되는 가드링 및 상기 가드링의 내부에 형성되고 그 하단에서 적어도 하나의 요철 링을 포함하는 활성 영역을 포함한다. 본 발명에 의한 애벌랜치 포토다이오드는 활성 영역 하단에 요철 링 구조를 포함하여 증폭 영역 내부에서의 충돌 이온화율(Impact Ionization Rate)의 채움 인자(Filler Factor)를 향상시켜 광자 검출 효율을 향상 시킬 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2014-04-30
- Application Date
- 2013-01-11
- Application Number
- 10-2013-0003653
- Registration Date
- 2014-04-30
- Registration Number
- 10-1393083-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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