애벌랜치 포토다이오드 및 그 제조방법AVALANCHE PHOTODIODE AND MANUFACTURE METHOD THEREFOR
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 양경훈 | ko |
| dc.contributor.author | 이기원 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T06:28:29Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T06:28:29Z | - |
| dc.date.issued | 2014-04-30 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/231076 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 애벌랜치 포토다이오드(Avalanche Photodiode)에 관한 것으로, 반사 억제층에 삽입되는 전극층, 상기 전극층의 하단에 형성되는 가드링 및 상기 가드링의 내부에 형성되고 그 하단에서 적어도 하나의 요철 링을 포함하는 활성 영역을 포함한다. 본 발명에 의한 애벌랜치 포토다이오드는 활성 영역 하단에 요철 링 구조를 포함하여 증폭 영역 내부에서의 충돌 이온화율(Impact Ionization Rate)의 채움 인자(Filler Factor)를 향상시켜 광자 검출 효율을 향상 시킬 수 있다. | - |
| dc.title | 애벌랜치 포토다이오드 및 그 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | AVALANCHE PHOTODIODE AND MANUFACTURE METHOD THEREFOR | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 양경훈 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이기원 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2013-0003653 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1393083-0000 | - |
| dc.date.application | 2013-01-11 | - |
| dc.date.registration | 2014-04-30 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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