투명 전자소자용 투명 메모리

Abstract

본 발명은 투명 전자소자용 투명 메모리에 관한 것으로서, 투명 기판 상에 순차적으로 형성된 하부 투명 전극층, 적어도 하나 이상의 투명 저항 변화 물질층으로 형성된 데이터 스토리지 영역 및 상부 투명 전극층을 포함하며, 상기 투명 저항 변화 물질층은, 상기 하부 투명 전극층과 상부 투명 전극층 사이에 소정의 전압 인가에 따른 저항 변화로 스위칭 특성을 가지고, 광학적 밴드갭(band-gap)이 3 eV 이상이며 가시광선 투과율이 80 %이상인 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리이며, 이와 같은 본 발명에 의해 투명도가 대단히 높고 낮은 스위칭 전압에서도 저항 변화에 따른 스위칭 특성을 가지며 또한 장기간이 경과한 후에도 저항 변화 메모리의 스위칭 특성을 유지할 수 있는 투명한 저항 변화 메모리를 제공할 수 있다.