DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 서중원 | ko |
dc.contributor.author | 임굉수 | ko |
dc.contributor.author | 박재우 | ko |
dc.contributor.author | 양지환 | ko |
dc.contributor.author | 강상정 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T02:00:26Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T02:00:26Z | - |
dc.date.issued | 2011-02-14 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/230158 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 투명 전자소자용 투명 메모리에 관한 것으로서, 투명 기판 상에 순차적으로 형성된 하부 투명 전극층, 적어도 하나 이상의 투명 저항 변화 물질층으로 형성된 데이터 스토리지 영역 및 상부 투명 전극층을 포함하며, 상기 투명 저항 변화 물질층은, 상기 하부 투명 전극층과 상부 투명 전극층 사이에 소정의 전압 인가에 따른 저항 변화로 스위칭 특성을 가지고, 광학적 밴드갭(band-gap)이 3 eV 이상이며 가시광선 투과율이 80 %이상인 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리이며, 이와 같은 본 발명에 의해 투명도가 대단히 높고 낮은 스위칭 전압에서도 저항 변화에 따른 스위칭 특성을 가지며 또한 장기간이 경과한 후에도 저항 변화 메모리의 스위칭 특성을 유지할 수 있는 투명한 저항 변화 메모리를 제공할 수 있다. | - |
dc.title | 투명 전자소자용 투명 메모리 | - |
dc.title.alternative | TRANSPARENT MEMORY FOR TRANSPARENT ELECTRONICS | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 임굉수 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 서중원 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 박재우 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 양지환 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 강상정 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2009-0038099 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1016266-0000 | - |
dc.date.application | 2009-04-30 | - |
dc.date.registration | 2011-02-14 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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