유전율-변화 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법THE DIELECTRIC-MODULATED FIELD EFECT TRANSISTOR AND THE METHOD OF FABRICATING THE SAME
본 발명은 전계효과 트랜지스터에 관련된 것으로서, 보다 구체적으로는 유전율-변화 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관련된 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유전율-변화 전계효과 트랜지스터는 소스와 드레인이 이격되어 형성된 기판, 기판중에서 상기 소스와 드레인 사이의 영역의 상부에 상기 기판과 적어도 일부가 이격되어 형성된 게이트, 상기 게이트중에서 상기 기판과 이격된 영역의 하부에 형성된 바이오 분자, 및 상기 바이오 분자를 상기 게이트에 결합시키는 링커를 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2009-06-05
- Application Date
- 2007-09-21
- Application Number
- 10-2007-0096674
- Registration Date
- 2009-06-05
- Registration Number
- 10-0902517-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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