대면적 고품질의 그래핀 성장을 위한 CVD 보조 장치A subsidiary equipment in chemical vapor deposition method for the reliable production of high quality and large sized graphene
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 나노팹 | ko |
| dc.contributor.author | 유권재 | ko |
| dc.contributor.author | 안치원 | ko |
| dc.contributor.author | 강일석 | ko |
| dc.contributor.author | 신영현 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T01:15:14Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T01:15:14Z | - |
| dc.date.issued | 2014-10-29 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/229375 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 대면적 고품질의 그래핀 성장을 위한 CVD 보조 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 화학기상증착 장치의 석영 튜브 내에 구비되며, 두 개의 커버플레이트 사이가 실링부에 의해 밀폐되어 형성된 공간부 내부에 금속 박막이 증착된 기판이 구비되고, 실링부의 외주면 일정영역에 형성된 가스유입구 및 가스배출구를 통해 탄소 및 수소가스가 유동되도록 함으로써, 최소량의 가스를 정성적으로 제어할 수 있고, 고온에서 금속 박막의 증발이 방지되도록 하는 CVD 보조 장치에 관한 것이다. | - |
| dc.title | 대면적 고품질의 그래핀 성장을 위한 CVD 보조 장치 | - |
| dc.title.alternative | A subsidiary equipment in chemical vapor deposition method for the reliable production of high quality and large sized graphene | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 유권재 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 안치원 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 강일석 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 신영현 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2013-0055108 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1458045-0000 | - |
| dc.date.application | 2013-05-15 | - |
| dc.date.registration | 2014-10-29 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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- RIMS Patents
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