커패시터리스 디램 및 이의 제조 방법THE CAPACITORLESS DRAM AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF
본 발명은 커패시터리스 디램(capacitorless DRAM) 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 기판상에 연속하여 형성된 소스, 채널 및 드레인, 상기 채널상에 형성된 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막상에 형성된 게이트, 및 상기 채널 내부에 형성된 게르마늄층 또는 게르마늄점을 포함한다. 본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 실리콘 기판에 형성된 게르마늄의 연속적인 층 혹은 불연속적인 점이 정공 배리어를(hole barrier) 변화 시켜서 정공(hole)을 효과적으로 모을 수 있기 때문에 정공저장능력이 향상된다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2011-07-06
- Application Date
- 2008-12-02
- Application Number
- 10-2008-0121159
- Registration Date
- 2011-07-06
- Registration Number
- 10-1048660-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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