반도체 메모리 소자 및 그 제조방법SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

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본 발명은 반도체 메모리 소자 등에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 커패시터 없는 디램 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 메모리 소자는 기판상에 형성된 제1 절연층, 제1 절연층상의 양측부에 서로 이격되어 형성된 제2 절연층, 제2 절연층 사이의 제1 절연층 상에 형성되고, 일부 영역이 제2 절연층으로부터 돌출된 돌출패턴이 형성된 부유바디셀, 돌출패턴을 둘러싸도록 형성된 게이트 구조체 및 돌출패턴의 양측부에 형성된 소오스 및 드레인을 포함한다. 본 발명에 따른 반도체 메모리 소자는 홀의 축적을 위해 인가되는 별도의 전압 없이 커패시터 없는 디램 소자로써 구동될 수 있다. 또한, 반도체 메모리 소자의 집적도가 향상될 수 있다. 커패시터 없는 디램(Capacitor-less DRAM), 에스오아이(Silicon On Insulator: SOI) 기판, 핀 전계효과트랜지스터, 완전 공핍 에이오아이 핀 전계효과 트랜지스터(FD-FinFET on SOI)
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2010-02-16
Application Date
2007-12-28
Application Number
10-2007-0139603
Registration Date
2010-02-16
Registration Number
10-0943646-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/228386
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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