수직형 나노쉘 전계효과 트랜지스터 및 융합 메모리 소자,및 그 제조 방법

Abstract

본 발명은 전계효과 트랜지스터 및 융합 메모리 소자에 관한 것이다. 보다 구체적으로는 수직 나노쉘 구조의 전계효과 트랜지스터, 및 비휘발성 플래쉬 메모리 특성과 캐패시터리스 디램 특성을 갖는 융합 메모리 소자, 및 그 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 전계효과 트랜지스터는 수직 기둥 형상의 제2 게이트, 제2 게이트의 측부를 포위하는 수직 기둥 형상의 채널, 채널의 측부를 포위하는 제1 게이트, 채널에 접속되어 형성된 소스, 및 채널에 접속되고 소스와 이격되어 형성된 드레인을 포함한다.수직형 소자, 나노 쉘(Nano-shell), 전면 게이트, 더블 게이트, 결정고상화(Solid Phase Crystallization), 비휘발성 메모리, 캐패시터리스 디램(Capacitorless DRAM), 융합 메모리