| 1 | 0.5um 게이트길이를 갖는 고성능 GaAs DEL-doped FET 권영세, 젊은 공학도를 위한 반도체 Workshop, 1993 |
| 2 | 1.3 μm)를 버퍼로 이용하는 HEMT 구조에서의 광전자 소자 집적에 관한 연구 = InGaAsP(λglink 차정호; Cha, Jung-Ho; et al, 한국과학기술원, 2006 |
| 3 | 1.3pm GaInAsP/p-InP BH 형 레이저의 상온연속 발진 유태경; 정기웅; 권영세; 홍창희, 전자공학회논문지, v.23, no.6, pp.780 - 788, 1986-11 |
| 4 | 1.3um GaInAsp BH 형 단일모드, 레이저의 상온연속발진 권영세, 광학 및 양자전자학 워크샵 논문집, 1986 |
| 5 | 1.3um GaInAsP/InP Stripe-Geometry DH Lasers 권영세, 대한전기학회 파동 및 양자전자연구회 학술발표회 논문집, 1984 |
| 6 | 1.3um 파장 InGaAsP/InP Ridge-Overgrown Distributed Feedback 레이저 다이오드의 제작 권영세, 파동 및 레이저 학술발표회 논문집, 1986 |
| 7 | 1um 이하의 게이트 길이를 갖는 GaAs MESFET 권영세, 대한전기학회 하계 학술회의, 1990 |
| 8 | 2000년대 한국의 반도체 산업 권영세, 기업경영, v.338, pp.37 - 42, 1986-06 |
| 9 | 36 GHz 모노리딕 단일평형 다이오드 믹서의 설계 및 제작 권영세, 한국반도체학술대회, 1996 |
| 10 | 3D RF front end module packaging using anodized aluminum substrate = 양극 산화 알루미늄 기판을 이용한 3 차원 프론트 엔드 모듈 패키징link Yu, Je-In; 유제인; Hong, Song-Cheoll; 홍성철; et al, 한국과학기술원, 2012 |
| 11 | 3μm gate length 를 갖는 GaAs MESFET 제작 = Fabrication of GaAs MESFET with a 3μm gate lengthlink 이윤종; Lee, Yoon-Jong; et al, 한국과학기술원, 1986 |
| 12 | 3차원 다층 멀티 칩 모듈 패키지 제조 방법 권영세; 신성호, 2006-09-28 |
| 13 | 780nm AlGaAs SEIS Laser Diode 권영세, 대한전자공학회 학술대회 (전기재료/반도체/CAD), 1987 |
| 14 | A fabrication method of sub-micron gate using anisotropic etching 권영세; 전수근; 김문정; 양경훈, 2002-08-02 |
| 15 | A novel thick SiO2 micro-lens implemented on thick OPS membrane 권영세, 한국반도체학술대회, 2004 |
| 16 | (A) silicon flip-chip module with a self-aligned structure coupling to the fiber on oxidized porous silicon substrate = 다공성 산화막 기판위에 광섬유에의 자기정렬 결합구조를 가지는 실리콘 플립칩 모듈link Kim, Bun-Joong; 김번중; et al, 한국과학기술원, 2005 |
| 17 | (A) study on fabrication and analysis of long cavity laser diode using TIR = 전반사면을 이용한 레이저 제작과 특성분석에 관한 연구link Choi, Jung-Hwan; 최정환; et al, 한국과학기술원, 1997 |
| 18 | (A) study on GaAs FET with DIpole potential barrier(DIBFET) = 쌍극자 전위장벽을 갖는 갈륨비소 전계효과 트랜지스터에 관한 연구link Cho, Hyun-Ryong; 조현룡; et al, 한국과학기술원, 1994 |
| 19 | (A) study on semiconductor laser diode arrays = 반도체 레이저 다이오드 어레이에 관한 연구link Kwon, Kee-Young; 권기영; et al, 한국과학기술원, 1988 |
| 20 | (A) study on the fabrication processes of InPMISFETs using the plasma anodizstion of aluminium and the laser activation = 알루미늄의 프라즈마 양극산화와 레이져활성화를 이용한 InP MISFETs 의 제작에 관한 연구link Park, Hyung-Moo; 박형무; et al, 한국과학기술원, 1984 |
| 21 | Air bridge 구조를 가지는 MMIC용 Inductor의 제작 및 측정 권영세, 대한전자공학회 CAD, 반도체, 재료 및 부품연구회 합동학술발표회, 1988 |
| 22 | Al and Au Schottky diodes on n-type GaAs 권영세, 대한전기학회 전기재료 연구회 및 대한전자공학회 반도체재료 및 부품 연구회 합동학술발표회, 1982 |
| 23 | $Al_xGa_{1-x}As/Al_yGa_{1-y}As$ laser diode의 측정 및 해석 = Measurement and analysis of $Al_xGa_{1-x}As/Al_yGa_{1-y}As$ laser diodelink 조규석; Cho, Gyu-Seog; et al, 한국과학기술원, 1988 |
| 24 | AlAs/GaAs 공진투과소자제작과 특성연구 권영세, 대한전자공학회 CAD, 반도체, 재료 및 부품연구회 합동학술발표회, 1989 |
| 25 | AlGaAs-GaAs buried heterostructure laser = AlGaAs-GaAs buried heterostructure 레이저link Yoo, Hoi-Jun; 유회준; et al, 한국과학기술원, 1985 |
| 26 | AlGaAs/GaAs DFB 레이저 다이오드의 제작 및 특성 권영세, 대한전자공학회 파동 및 레이저 학술발표회, 1987 |
| 27 | AlGaAs/GaAs Surface Emitting Diode by Selective LPE 권영세, The KIEE Annual Conference, 1988 |
| 28 | AlGaAs/GaAs surface-light-emitting devices by selective liquid phase epitaxy = 선택적 액상 에피택시에 의한 AlGaAs/GaAs 표면 방출형 광소자link Yoo, Tae-Kyung; 유태경; et al, 한국과학기술원, 1989 |
| 29 | Beam-Lead를 이용한 Laser Diode의 제작과 열저항 특성 권영세, 대한전자공학회 파동 및 레이저 학술발표회, 1990 |
| 30 | BFL NAND 게이트와 FLD 플립플롭의 설계와 제작 권영세, 대한전자공학회 CAD, 반도체, 재료 및 부품연구회 합동학술발표회, 1991 |
| 31 | BH 레이저 다이오드의 제작 권영세, 대한전자공학회 하계 종합학술대회, 1985, v.8, no.1, 1985 |
| 32 | CCl4를 사용하여 베이스를 탄소도핑한 AlGaAs/GaAs HBT의 제작 및 특성 손정환; 김동욱; 홍성철; 권영세, 전자공학회논문지, v.30, no.12, pp.1031 - 1039, 1993-12 |
| 33 | Characteristics of Area-Variable Varactor Diode 홍성철; 김동욱; 권영세, 제 3회 한국반도체 학술대회, pp.99 - 100, 1996 |
| 34 | Chip-in packaging technology using aluminum substrate (pocket embedded packaging) = 알루미늄 기판을 이용한 Chip-In Packaging 기술link Kim, Kyoung-Min; 김경민; et al, 한국과학기술원, 2008 |
| 35 | D FLIP-FLOP을 위한 GaAs unbuffered FET logic 연구 = A study on GaAs unbuffered FET logic for D FLIP-FLOPlink 이용희; Lee, Yong-Hee; et al, 한국과학기술원, 1991 |
| 36 | Design of microwave active resonators and their applications to MMIC's = 마이크로파 능동형 공진기의 구현 및 MMIC 응용link Cho, Yong-Ho; 조용호; et al, 한국과학기술원, 1999 |
| 37 | Development of passive devices on silicon substrate for microwave application = 실리콘 기판을 이용한 초고주파용 수동소자의 개발link Ko, Ju-Hyun; 고주현; et al, 한국과학기술원, 2003 |
| 38 | Dielectric Waveguiding 과 Taper ended Fiber를 이용한 Fiber-to-detector coupler 권영세, 대한전자공학회 통신, 전자교환, 마이크로파 및 전파연구회 합동 심포지움, 1980 |
| 39 | DLTS 시스템 제작 및 그 응용 = Deep level transient spectroscopy : system implementation and its applicationlink 정희범; Jung, Hee-Bum; 김충기; 권영세; et al, 한국과학기술원, 1983 |
| 40 | Dry etching of Ti/Au films using CF4 and O2 Plasma. 권영세, 반도체 학술대회, 1998 |
| 41 | E-beam lthography 를 이용한 나노 부유 게이트 소자 제작 = Fabrication of nano-floating gate memory device using E-beam lithographylink 박진성; Park, Jin-Sung; et al, 한국과학기술원, 1997 |
| 42 | Emitter Size Effects on DC Current Gain and RF Performance in InP/InGaAs HBT's. 권영세, 한국 반도체 학술대회, 1999 |
| 43 | Experimental investigaton of coplanar waveguides on selective oxidized porous silicon(SOPS) substrate for microwave multi-chip-module. 권영세, 한국 반도체 학술대회, 1998 |
| 44 | Fabrication and characterization of p-type Insulated gate Heterostructure FET(pai-HFET) 권영세, 대한전자공학회 반도체 재료 및 부품연구회 학술발표회, 1990 |
| 45 | Fabrication and measurement of inductor with air bridge crossover structure for monolithic microwave integrated circuit = Air bridge crossover 구조를 가지는 MMIC용 inductor 의 제작 및 측정link Shin, Jin-Ho; 신진호; et al, 한국과학기술원, 1987 |
| 46 | Fabrication of $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ photodiode by LPE = $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ 에피층 성장을 위한 수광 소자의 제작link Chung, Gi-Oong; 정기웅; et al, 한국과학기술원, 1986 |
| 47 | Fabrication of 1.3 μm GaInAsP /InP DH stripe-geometry laser diodes = 1.3 um 파장 GaInAsP/InP stripe 구조 laser diode 의 제작link Yoo, Tae-Kyung; 유태경; et al, 한국과학기술원, 1985 |
| 48 | Fabrication of 1.3 μm wavelength InGaAsP/InP ridge overgrown distributed feedback laser diode = 1.3μm 파장의 InGaAsP/InP ridge-overgrown distributed feedback 레이저 다이오드의 제작link Song, Jae-Kyung; 송재경; et al, 한국과학기술원, 1986 |
| 49 | Fabrication of GaAs MESFET with recessed gate structure = Recessed Gate 구조의 GaAs MESFET 제작link Kim, Young-Han; 김영한; et al, 한국과학기술원, 1985 |
| 50 | Fabrication of GaAs schottky diode and its photodetector application = GaAs 쇼트키 다이오우드의 제작과 수광특성link Hahm, Sung-Ho; 함성호; et al, 한국과학기술원, 1987 |
| 51 | Fabrication of inner-striped ridge overgrown GaAs/AlGaAs double-heterostructure LASER diode = 내부 전류 제한구조를 가진 ridge형 GaAs/AlGaAs 이중 이형접합 레이저 다이오드의 제작link Yang, O-Seung; 양오승; et al, 한국과학기술원, 1991 |
| 52 | Fabrication of Microlens Using UV Curing Method and its Application to OpticalComponents 박은현; 김문정; 권영세, JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, v.35, pp.s1067 - 1070, 1999-12 |
| 53 | Fabrication of optical logic device using GaAs/AlGaAs double heterostructure lasers = GaAs/AlGaAs 이중 이형 구조 레이저를 이용한 광논리 소자의 제작link Jung, Woong; 정웅; et al, 한국과학기술원, 1991 |
| 54 | Fabrication of planar GaAs DH laser diodes on SI substrate = SI 기판 상의 평면형 GaAs 이형 접합 Laser diode 의 제작link Jung, Woong; 정웅; et al, 한국과학기술원, 1985 |
| 55 | Fabrication of schottky diodes on n-type GaAs = n형 갈리움 아스나이드 기판 위에 쇼트키 다이오드의 제작link Moon, Byung-Jong; 문병종; et al, 한국과학기술원, 1983 |
| 56 | Fabrication of submicron T-gate GaAs FET and preamplifier = Submicron T-gate GaAs FET 및 preamplifier 제작link Hwang, Jong-Seung; 황종승; et al, 한국과학기술원, 1995 |
| 57 | Fiber $Optic/Al_{0.3}Ga_{0.7}As-GaAs$ 광음극판에 관한 연구 = The research on fiber $Optic/Al_{0.3}Ga_{0.7}As-GaAs$ photocathodelink 김경민; Kim, Kyoung-Min; et al, 한국과학기술원, 2004 |
| 58 | Fiber-Optic에 붙은 Al0.3Ga0.7As/GaAs 투과형 광음극관 권영세, 한국군사과학기술학회, 2003 |
| 59 | GaAs FECFET(Floated Electron Channel FET)게이트 기생커랜시턴스 감소에 관한 연구 권영세, 한국 반도체 학술대회, 1994 |
| 60 | GaAs FET MMIC 발진기의 설계 및 제작 권영세, 한국반도체 대한전자공학회 학술대회, 1995 |
