| 1 | 1.3 μm)를 버퍼로 이용하는 HEMT 구조에서의 광전자 소자 집적에 관한 연구 = InGaAsP(λglink 차정호; Cha, Jung-Ho; et al, 한국과학기술원, 2006 |
| 2 | 3D RF front end module packaging using anodized aluminum substrate = 양극 산화 알루미늄 기판을 이용한 3 차원 프론트 엔드 모듈 패키징link Yu, Je-In; 유제인; Hong, Song-Cheoll; 홍성철; et al, 한국과학기술원, 2012 |
| 3 | 3μm gate length 를 갖는 GaAs MESFET 제작 = Fabrication of GaAs MESFET with a 3μm gate lengthlink 이윤종; Lee, Yoon-Jong; et al, 한국과학기술원, 1986 |
| 4 | (A) silicon flip-chip module with a self-aligned structure coupling to the fiber on oxidized porous silicon substrate = 다공성 산화막 기판위에 광섬유에의 자기정렬 결합구조를 가지는 실리콘 플립칩 모듈link Kim, Bun-Joong; 김번중; et al, 한국과학기술원, 2005 |
| 5 | (A) study on fabrication and analysis of long cavity laser diode using TIR = 전반사면을 이용한 레이저 제작과 특성분석에 관한 연구link Choi, Jung-Hwan; 최정환; et al, 한국과학기술원, 1997 |
| 6 | (A) study on GaAs FET with DIpole potential barrier(DIBFET) = 쌍극자 전위장벽을 갖는 갈륨비소 전계효과 트랜지스터에 관한 연구link Cho, Hyun-Ryong; 조현룡; et al, 한국과학기술원, 1994 |
| 7 | (A) study on semiconductor laser diode arrays = 반도체 레이저 다이오드 어레이에 관한 연구link Kwon, Kee-Young; 권기영; et al, 한국과학기술원, 1988 |
| 8 | (A) study on the fabrication processes of InPMISFETs using the plasma anodizstion of aluminium and the laser activation = 알루미늄의 프라즈마 양극산화와 레이져활성화를 이용한 InP MISFETs 의 제작에 관한 연구link Park, Hyung-Moo; 박형무; et al, 한국과학기술원, 1984 |
| 9 | $Al_xGa_{1-x}As/Al_yGa_{1-y}As$ laser diode의 측정 및 해석 = Measurement and analysis of $Al_xGa_{1-x}As/Al_yGa_{1-y}As$ laser diodelink 조규석; Cho, Gyu-Seog; et al, 한국과학기술원, 1988 |
| 10 | AlGaAs-GaAs buried heterostructure laser = AlGaAs-GaAs buried heterostructure 레이저link Yoo, Hoi-Jun; 유회준; et al, 한국과학기술원, 1985 |
| 11 | AlGaAs/GaAs surface-light-emitting devices by selective liquid phase epitaxy = 선택적 액상 에피택시에 의한 AlGaAs/GaAs 표면 방출형 광소자link Yoo, Tae-Kyung; 유태경; et al, 한국과학기술원, 1989 |
| 12 | Chip-in packaging technology using aluminum substrate (pocket embedded packaging) = 알루미늄 기판을 이용한 Chip-In Packaging 기술link Kim, Kyoung-Min; 김경민; et al, 한국과학기술원, 2008 |
| 13 | Coplanar waveguides on silicon substrate with thick oxidized porous silicon (OPS) layer Nam, Choong-Mo; Kwon, Young-Se, IEEE Microwave and Guided Wave Letters, v.8, no.11, pp.369 - 371, 1998-11 |
| 14 | D FLIP-FLOP을 위한 GaAs unbuffered FET logic 연구 = A study on GaAs unbuffered FET logic for D FLIP-FLOPlink 이용희; Lee, Yong-Hee; et al, 한국과학기술원, 1991 |
| 15 | Design of microwave active resonators and their applications to MMIC's = 마이크로파 능동형 공진기의 구현 및 MMIC 응용link Cho, Yong-Ho; 조용호; et al, 한국과학기술원, 1999 |
| 16 | Development of passive devices on silicon substrate for microwave application = 실리콘 기판을 이용한 초고주파용 수동소자의 개발link Ko, Ju-Hyun; 고주현; et al, 한국과학기술원, 2003 |
| 17 | DLTS 시스템 제작 및 그 응용 = Deep level transient spectroscopy : system implementation and its applicationlink 정희범; Jung, Hee-Bum; 김충기; 권영세; et al, 한국과학기술원, 1983 |
| 18 | E-beam lthography 를 이용한 나노 부유 게이트 소자 제작 = Fabrication of nano-floating gate memory device using E-beam lithographylink 박진성; Park, Jin-Sung; et al, 한국과학기술원, 1997 |
| 19 | Fabrication and measurement of inductor with air bridge crossover structure for monolithic microwave integrated circuit = Air bridge crossover 구조를 가지는 MMIC용 inductor 의 제작 및 측정link Shin, Jin-Ho; 신진호; et al, 한국과학기술원, 1987 |
| 20 | Fabrication method of submicron gate using anisotropic etching Yang, Kyoung-Hoon; Jeon, Soo-Kun; Kim, Moon-Jung; Kwon, Young-Se, 2002-04-16 |
| 21 | Fabrication of $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ photodiode by LPE = $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ 에피층 성장을 위한 수광 소자의 제작link Chung, Gi-Oong; 정기웅; et al, 한국과학기술원, 1986 |
| 22 | Fabrication of 1.3 μm GaInAsP /InP DH stripe-geometry laser diodes = 1.3 um 파장 GaInAsP/InP stripe 구조 laser diode 의 제작link Yoo, Tae-Kyung; 유태경; et al, 한국과학기술원, 1985 |
| 23 | Fabrication of 1.3 μm wavelength InGaAsP/InP ridge overgrown distributed feedback laser diode = 1.3μm 파장의 InGaAsP/InP ridge-overgrown distributed feedback 레이저 다이오드의 제작link Song, Jae-Kyung; 송재경; et al, 한국과학기술원, 1986 |
| 24 | Fabrication of GaAs MESFET with recessed gate structure = Recessed Gate 구조의 GaAs MESFET 제작link Kim, Young-Han; 김영한; et al, 한국과학기술원, 1985 |
| 25 | Fabrication of GaAs schottky diode and its photodetector application = GaAs 쇼트키 다이오우드의 제작과 수광특성link Hahm, Sung-Ho; 함성호; et al, 한국과학기술원, 1987 |
| 26 | Fabrication of inner-striped ridge overgrown GaAs/AlGaAs double-heterostructure LASER diode = 내부 전류 제한구조를 가진 ridge형 GaAs/AlGaAs 이중 이형접합 레이저 다이오드의 제작link Yang, O-Seung; 양오승; et al, 한국과학기술원, 1991 |
| 27 | Fabrication of optical logic device using GaAs/AlGaAs double heterostructure lasers = GaAs/AlGaAs 이중 이형 구조 레이저를 이용한 광논리 소자의 제작link Jung, Woong; 정웅; et al, 한국과학기술원, 1991 |
| 28 | Fabrication of planar GaAs DH laser diodes on SI substrate = SI 기판 상의 평면형 GaAs 이형 접합 Laser diode 의 제작link Jung, Woong; 정웅; et al, 한국과학기술원, 1985 |
| 29 | Fabrication of schottky diodes on n-type GaAs = n형 갈리움 아스나이드 기판 위에 쇼트키 다이오드의 제작link Moon, Byung-Jong; 문병종; et al, 한국과학기술원, 1983 |
| 30 | Fabrication of submicron T-gate GaAs FET and preamplifier = Submicron T-gate GaAs FET 및 preamplifier 제작link Hwang, Jong-Seung; 황종승; et al, 한국과학기술원, 1995 |
| 31 | Fiber $Optic/Al_{0.3}Ga_{0.7}As-GaAs$ 광음극판에 관한 연구 = The research on fiber $Optic/Al_{0.3}Ga_{0.7}As-GaAs$ photocathodelink 김경민; Kim, Kyoung-Min; et al, 한국과학기술원, 2004 |
| 32 | GaAs FET 발진기의 설계 및 제작 = Design and fabrication of GaAs FET oscillatorlink 이영재; Lee, Young-Jae; et al, 한국과학기술원, 1995 |
| 33 | GaAs MESFET 을 이용한 BFL inverter 설계 및 제작 = The design and fabrication of a BFL inverter using GaAs MESFETlink 이주호; Lee, Joo-Ho; et al, 한국과학기술원, 1990 |
| 34 | GaAs MESFET 의 제작 = Fabrication of GaAs MESFETlink 이성철; Lee, Sung-Chul; et al, 한국과학기술원, 1984 |
| 35 | GaAs MESFET의 설계, 제작 및 측정 = Design, fabrication and measurement of GaAs MESFETlink 김앙서; Kim, Ang-Seo; et al, 한국과학기술원, 1988 |
| 36 | GaAs optoelectronic integrated circuit with vertical field-effect transistor using selective metalorganic chemical vapor deposition = 선택적 유기금속 화학증착법을 이용한 수직형 전계효과 트랜지스터의 갈륨비소 광전집적회로link Hong, Chang-Hee; 홍창희; et al, 한국과학기술원, 1991 |
| 37 | GaAs power MESFET 의 제작 = Fabrication of GaAs power MESFETlink 곽명현; Kwak, Myung-Hyun; et al, 한국과학기술원, 1985 |
| 38 | GaAs SDFL(schottky diod fet logic) NOR gate의 제작과 DC, AC 성능측정 = Fabrication and DC, AC performance measurement of GaAs SDFL(schottky diod FET logic) NOR gatelink 배종대; Bae, Jong-Dae; et al, 한국과학기술원, 1992 |
| 39 | GaAs 가변이득 증폭기 설계 및 제작 = Design and fabrication of GaAs variable gain amplifierslink 신성호; Shin, Seong-Ho; et al, 한국과학기술원, 2000 |
| 40 | GaAs 광대역증폭기의 설계 및 제작 = Design and fabrication of GaAs broadband amplifierlink 조용호; Cho, Yong-Ho; et al, 한국과학기술원, 1994 |
| 41 | GaAs 모노리딕 되먹임 증폭기의 설계 및 제작 = Design and fabrication of GaAs monolithic feedback amplifierlink 신현철; Shin, Hyun-Chol; et al, 한국과학기술원, 1993 |
| 42 | GaAs 저잡음증폭기 MMIC 설계를 위한 잡음모델 연구 = A novel noise model of GaAs mesfets for low noise amplifier MMIClink 이창석; Lee, Chang-Seok; et al, 한국과학기술원, 1996 |
| 43 | GaAs 표면 방출형 적외선 발광 다이오드의 제작 = Fabrication of GaAs surface emitting LEDlink 김번중; Kim, Bun-Joong; et al, 한국과학기술원, 1984 |
| 44 | GaAs-AIGaAs DH laser diode 의 제작 = Fabrication of GaAs-AlGaAs DH laser diodelink 채창준; Chae, Chang-Joon; et al, 한국과학기술원, 1984 |
| 45 | GaAs/AlGaAs micromachining을 이용한 light emitting cantilever의 제작 = Fabrication of light emitting cantilever using GaAs/AlGaAs micromachininglink 전수근; Jeon, Soo-Kun; et al, 한국과학기술원, 1998 |
| 46 | GaAs/AlGaAs rooftop reflector laser for optoelectronic integrated circuits = 광전집적 회로를 위한 GaAs/AlGaAs 지붕형 반사기 레이저link Chae, Chang-Joon; 채창준; et al, 한국과학기술원, 1989 |
| 47 | Gallium arsenide floated electron channel field effect transistor = 갈륨비소 부동전자채널 전계효과 트랜지스터link Kim, Chang-Tae; 김창태; et al, 한국과학기술원, 1994 |
| 48 | HBT(heterojunction bipolar transistor) 의 제작 = Fabrication of HBT(heterojunction bipolar transistor)link 전병태; Jeon, Byeong-Tae; et al, 한국과학기술원, 1988 |
| 49 | Heterojunction bipolar transistor by carbon doping and selective metalorganic chemical vapor deposition = 탄소 도핑과 선택적 유기금속화학증착법을 이용한 이종접합 바이폴라 트랜지스터link Son, Jeong-Hwan; 손정환; et al, 한국과학기술원, 1995 |
| 50 | High-performance air-gap transmission lines and inductors for millimeter-wave applications Jeong, Inho; Shin, Seong-Ho; Go, Ju-Hyun; Lee, Joong-Soo; Nam, Choong-Mo; Kim, Dong-Wook; Kwon, Young-Se, IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, v.50, no.12, pp.2850 - 2855, 2002-12 |
| 51 | Hybrid형 광전집적회로를 위한 beam-lead laser diode의 제작 및 특성 = Fabrication and characteristics of beam-lead laser diode hybrid type OEIC(opto-electronic integrated circuit)link 조성대; Cho, Seong-Dae; et al, 한국과학기술원, 1989 |
| 52 | III-V Compound Semiconductor Device Kwon, Young-Se, , KOSEF/NSF, 1986 |
| 53 | Implementation of plasma enhanced CVD system and characterization of plasma silicon nitride film = PECVD(plasma enhanced CVD ) 시스템의 제작 및 플라즈마 silicon nitride 박막증착에 관한 연구link Lee, Yong-Woon; 이용운; et al, 한국과학기술원, 1987 |
| 54 | InGaAs / InP PIN 광검출기와 자기정렬구조의 JFET으로 이루어진 수신용 광전집적회로의 제작 = Fabrication of monolithically integrated phtoreceiver front-end using InGaAs / InP PIN photodiode and self-aligned JFET'slink 박기성; Park, Ki-Sung; et al, 한국과학기술원, 1992 |
| 55 | Integration of FETs and diodes using selective-area epitaxy = 선택적 에피성장을 이용한 전계효과 트랜지스터와 다이오드의 집적link Jung, Jong-Wan; 정종완; et al, 한국과학기술원, 1996 |
| 56 | Integration of GaAs vertical junction field effect transistor and photodiode using selective metalorganic chemical vapor deposion = 선택적 유기금속 화학 증착법에 의한 갈륨비소 수직형 접합 전계 효과 트렌지스터와 광다이아오드의 집적link Gong, Myeong-Kook; 공명국; et al, 한국과학기술원, 1993 |
| 57 | Integration of heterojunction bipolar transistor and metal semiconductor field effect transister on oxidized porous silicon substrate and its applications = 산화된 다공성 실리콘 기판위에 이종접합 바이폴라 트랜지스터와 전계 효과 트랜지스터의 집적 및 응용link Lee, Young-Jae; 이영재; et al, 한국과학기술원, 2000 |
| 58 | Integration of lensed LED and heterojunction bipolar transistor for OEIC = 렌즈를 가진 LED와 HBT를 이용한 광전집적회로의 구현link Yang, O-Seung; 양오승; et al, 한국과학기술원, 1996 |
| 59 | Integration of roof-top reflector laser diodes and waveguide by twin-guide structure = 이중 도파로 구조에 의한 지붕형 반사기를 가진 레이저 다이오드와 광도파로의 집적link Ji, Jeong-Keun; 지정근; et al, 한국과학기술원, 1995 |
| 60 | Laser lithography를 위한 autofocusing system 구현과 mixer의 설계 및 제작 = Implementation of the auto focusing system for laser lithography and fabrication of the mixerlink 정인호; Jeong, In-Ho; et al, 한국과학기술원, 1997 |
