보호링을 사용하여 부정합 전위의 발생을 억제한 P/P+ 실리콘기판에 제작된 MOSFET의 특성 분석

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Issue Date
1995
Language
KOR
Citation

한국반도체 대한전자공학회 학술대회, pp.129 - 130

URI
http://hdl.handle.net/10203/117613
Appears in Collection
RIMS Conference Papers
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