보호링을 사용하여 부정합 전위의 발생을 억제한 P/P+ 실리콘기판에 제작된 MOSFET의 특성 분석
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김충기 | - |
| dc.contributor.author | 윤난영 | - |
| dc.contributor.author | 이호준 | - |
| dc.contributor.author | 한철희 | - |
| dc.date.accessioned | 2013-03-15T07:57:28Z | - |
| dc.date.available | 2013-03-15T07:57:28Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 1995 | - |
| dc.identifier.citation | 한국반도체 대한전자공학회 학술대회, v., no., pp.129 - 130 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/117613 | - |
| dc.language | KOR | - |
| dc.title | 보호링을 사용하여 부정합 전위의 발생을 억제한 P/P+ 실리콘기판에 제작된 MOSFET의 특성 분석 | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.type.rims | CONF | - |
| dc.citation.beginningpage | 129 | - |
| dc.citation.endingpage | 130 | - |
| dc.citation.publicationname | 한국반도체 대한전자공학회 학술대회 | - |
| dc.identifier.conferencecountry | South Korea | - |
| dc.identifier.conferencecountry | South Korea | - |
| dc.contributor.localauthor | 김충기 | - |
| dc.contributor.localauthor | 한철희 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 윤난영 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이호준 | - |
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