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Browse "College of Natural Sciences(자연과학대학)" by Author 노현균

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1
Determination of the Schottky barrier height and effective work function at TiN/HfO2 interface

오영준; 노현균; 이태경; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2012-10

2
Effect of oxygen-vacancy defects on the electronic structure of Ni/SiO2 and Ni/HfO2 interfaces

오영준; 노현균; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2011-10

3
First-principles study of oxygen vacancy in amorphous hafnium silicates = 비정질 하프늄 실리케이트 구조 내에서의 산소 결핍 결함에 관한 제일원리 연구link

Noh, Hyeon-Kyun; 노현균; et al, 한국과학기술원, 2009

4
First-principles study on defects related to the instability of MOSFET and TFT devices = 제일원리 계산을 통한 MOSFET 및 TFT 소자의 불안정성 관련 결함에 대한 연구link

Noh, Hyeon-Kyun; 노현균; et al, 한국과학기술원, 2013

5
Hybrid functional and quasiparticle calculations of the effective work function of TiN on HfO2

오영준; 이태경; 노현균; 장기주, The 9th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2013-06

6
Quasiparticle GW calculations of the effective work function at TiN/HfO2 interface

오영준; 이태경; 노현균; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회, 한국물리학회, 2013-10

7
Schottky barrier height and effective work function in Ni/oxide interface: a density-functional study

노현균; 오영준; 이태경; 장기주, The 8th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2012-06

8
Stability and segregation of boron dopants in the interface structure between Si and amorphous SiO2

오영준; 노현균; 장기주, 한국물리학회 가을 학술논문발표회 v. no. , 한국물리학회, 2011-10

9
Stability of boron dopants at the interface between Si and amorphous SiO2

오영준; 노현균; 장기주, The 7th KIAS Electronic Structure Calculation Workshop, KIAS, 2011-06

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