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1
Characterization of Ge-Sb-Te based film by MOCVD for phase change memory application = 상변화 메모리 소자 응용을 위한 MOCVD를 이용한 Ge-Sb-Te계 박막의 증착 및 특성분석link

Kim, Ran-Young; 김난영; et al, 한국과학기술원, 2008

2
Controlled self-assembly of block copolymers for device applications = 소자 응용을 위한 블록공중합고분자의 자기조립 제어link

Park, Woon-Ik; 박운익; et al, 한국과학기술원, 2013

3
Microstructural and electrical characteristics of indium-antimony-tellurium chalcogenide alloys for application in phase change memory = 상변화 메모리 응용을 위한 InSbTe 칼코게나이드 화합물의 미세구조와 전기적 특성에 관한 연구link

Kim, Eun-Tae; 김은태; et al, 한국과학기술원, 2010

4
RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 증착된 In-Sb-Te 박막의 결정화 거동 및 미세구조 분석 = Crystallization behavior and microstructure analysis of in-sb-te thin films deposited by RF magnetron sputteringlink

김청수; Kim, Chung-Soo; et al, 한국과학기술원, 2008

5
RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 증착된 Sb-doped GeTe 박막의 미세구조 분석 = Microstructural analysis of sb-doped gete thin films deposited by rf magnetron sputteringlink

김대운; Kim, Dae-Woon; et al, 한국과학기술원, 2013

6
상변화메모리 응용을 위한 $(InSb)_{2}Te_{3}$ 칼코게나이드 화합물의 상변화특성 연구 = Phase Change Characteristics of $(InSb)_{2}Te_{3}$ Chalcogenide Alloys for Application in Phase Change Memorylink

윤재진; Yun, Jae-Jin; et al, 한국과학기술원, 2011

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