메모리 소자 및 그 제조방법 MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

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본 발명의 실시 형태는 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 실시 형태에 따른 메모리 소자는, 제1 전극부; 상기 제1 전극부 상에 배치된 결정성 고분자 막; 및 상기 결정성 고분자 막 상에 배치된 제2 전극부; 를 포함하고, 상기 결정성 고분자 막은 제1 고분자 층 및 상기 제1 고분자 층 상에 배치된 제2 고분자 층을 포함하고, 상기 제1 고분자 층은 제1 결정성 고분자이고, 상기 제2 고분자 층은 제2 결정성 고분자이고, 상기 제2 고분자 층의 표면 거칠기(surface roughness)의 실효 값(RMS, Root Mean Square)은 상기 제1 고분자 층의 표면 거칠기의 실효 값보다 작다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2015-06-29
Application Date
2013-08-05
Application Number
10-2013-0092464
Registration Date
2015-06-29
Registration Number
10-1533607-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/233110
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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