메모리 소자 및 그 제조방법MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이희철 | ko |
| dc.contributor.author | 김우영 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T10:56:30Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T10:56:30Z | - |
| dc.date.issued | 2015-06-29 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/233110 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 실시 형태는 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 실시 형태에 따른 메모리 소자는, 제1 전극부; 상기 제1 전극부 상에 배치된 결정성 고분자 막; 및 상기 결정성 고분자 막 상에 배치된 제2 전극부; 를 포함하고, 상기 결정성 고분자 막은 제1 고분자 층 및 상기 제1 고분자 층 상에 배치된 제2 고분자 층을 포함하고, 상기 제1 고분자 층은 제1 결정성 고분자이고, 상기 제2 고분자 층은 제2 결정성 고분자이고, 상기 제2 고분자 층의 표면 거칠기(surface roughness)의 실효 값(RMS, Root Mean Square)은 상기 제1 고분자 층의 표면 거칠기의 실효 값보다 작다. | - |
| dc.title | 메모리 소자 및 그 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 이희철 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김우영 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2013-0092464 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1533607-0000 | - |
| dc.date.application | 2013-08-05 | - |
| dc.date.registration | 2015-06-29 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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