수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치 A PASSIVE MATRIX-ADDRESSABLE MEMORY APPARATUS

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본 발명은 수동 매트릭스 어드레스 가능한 메모리 장치에 관한 것이다.본 발명에 따른 수동 매트릭스 어드레스 가능한 메모리 장치는 하나 이상의 평행한 제1 전극라인, 제1 전극라인에 대하여 교차하는 방향으로 형성된 하나 이상의 평행한 제2 전극라인, 제1 및 제2 전극라인 사이에 형성되고, 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 물질을 포함하는 메모리부 및 메모리부와 제1 전극라인 사이에 형성되어 소정 범위의 인가되는 전압에 대해서 일방향으로만 전류가 흐르는 방향성을 갖되 인가되는 전압이 소정의 문턱전압 이상인 경우에는 전류 전도도가 증가되는 특성을 갖는 스위치부를 포함한다.본 발명에 따른 메모리 장치는 메모리부에 인가되는 간섭전압의 크기를 감소시킴으로써 간섭전압에 노출되는 횟수가 증가되더라도 각 메모리 셀에 저장된 데이터 상태를 유지 시킬 수 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2012-11-09
Application Date
2008-07-01
Application Number
10-2008-0063306
Registration Date
2012-11-09
Registration Number
10-1201673-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/228927
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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