수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치 A PASSIVE MATRIX-ADDRESSABLE MEMORY APPARATUS

Cited 0 time in webofscience Cited 0 time in scopus
  • Hit : 49
  • Download : 0
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.author이희철ko
dc.contributor.author김우영ko
dc.contributor.author이용수ko
dc.contributor.author가두연ko
dc.contributor.author김상율ko
dc.date.accessioned2017-12-20T00:55:16Z-
dc.date.available2017-12-20T00:55:16Z-
dc.date.issued2012-11-09-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/228927-
dc.description.abstract본 발명은 수동 매트릭스 어드레스 가능한 메모리 장치에 관한 것이다.본 발명에 따른 수동 매트릭스 어드레스 가능한 메모리 장치는 하나 이상의 평행한 제1 전극라인, 제1 전극라인에 대하여 교차하는 방향으로 형성된 하나 이상의 평행한 제2 전극라인, 제1 및 제2 전극라인 사이에 형성되고, 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 물질을 포함하는 메모리부 및 메모리부와 제1 전극라인 사이에 형성되어 소정 범위의 인가되는 전압에 대해서 일방향으로만 전류가 흐르는 방향성을 갖되 인가되는 전압이 소정의 문턱전압 이상인 경우에는 전류 전도도가 증가되는 특성을 갖는 스위치부를 포함한다.본 발명에 따른 메모리 장치는 메모리부에 인가되는 간섭전압의 크기를 감소시킴으로써 간섭전압에 노출되는 횟수가 증가되더라도 각 메모리 셀에 저장된 데이터 상태를 유지 시킬 수 있다.-
dc.title수동 매트릭스-어드레스 가능한 메모리 장치-
dc.title.alternativeA PASSIVE MATRIX-ADDRESSABLE MEMORY APPARATUS-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor이희철-
dc.contributor.nonIdAuthor김우영-
dc.contributor.nonIdAuthor이용수-
dc.contributor.nonIdAuthor가두연-
dc.contributor.nonIdAuthor김상율-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2008-0063306-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-1201673-0000-
dc.date.application2008-07-01-
dc.date.registration2012-11-09-
dc.publisher.countryKO-
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
Files in This Item
There are no files associated with this item.

qr_code

  • mendeley

    citeulike


rss_1.0 rss_2.0 atom_1.0