BCB 기반의 다층구조를 이용한 고성능 광대역 PIN단극쌍투 진행파 스위치 HIGH-PERFORMANCE BROADBAND PIN SINGLE POLE DOUBLE THROW TRAVELING WAVE SWITCH USING MULTI-LAYERED OF BCB BASED

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본 발명은 BCB 기반의 다층구조를 이용한 고성능 광대역 PIN 단극쌍투 진행파 스위치에 관한 것으로서, 입력포트로부터 RF신호를 인가받은 제 1 및 제 2 파장전송선과, 제 1 및 제 2 파장 전송선과 접속된 제 1 및 제 2 인덕티브 전송선과, 제 1 인덕티브 전송선과 제 1 출력포트사이에 구비된 제 1 PIN 다이오드, 및 제 2 인덕티브 전송선과 제 2 출력포트사이에 구비된 제 2 PIN 다이오드로 구성되되, 제 1 및 제 2 인덕티브 전송선은 기 설정된 주파수 대역에서 소정의 임피던스를 갖는 4㎛ 폭으로 구성되고, 16㎛ 폭 파장의 사분의 일 길이의 50Ω을 갖는 박막 마이크로스트립 라인으로 구성되는 것을 특징으로 한다. 상술한바와 같은 본 발명에 따르면, 스위칭 소자로 PIN 다이오드를 사용함과 아울러 BCB 기반의 다층구조로 제작함으로써, 바이어스 라인과 제어 전압의 수를 최소화하고, 기생 인덕턴스 성분을 최소화함과 동시에 스위치 제작의 소형화를 도모하는 효과가 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2008-06-18
Application Number
10-2008-0057353
Registration Date
2010-05-14
Registration Number
10-0959385-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/228914
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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