BCB 기반의 다층구조를 이용한 고성능 광대역 PIN단극쌍투 진행파 스위치 HIGH-PERFORMANCE BROADBAND PIN SINGLE POLE DOUBLE THROW TRAVELING WAVE SWITCH USING MULTI-LAYERED OF BCB BASED

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dc.contributor.author양경훈ko
dc.contributor.author양정길ko
dc.date.accessioned2017-12-20T00:54:57Z-
dc.date.available2017-12-20T00:54:57Z-
dc.date.issued2010-05-14-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/228914-
dc.description.abstract본 발명은 BCB 기반의 다층구조를 이용한 고성능 광대역 PIN 단극쌍투 진행파 스위치에 관한 것으로서, 입력포트로부터 RF신호를 인가받은 제 1 및 제 2 파장전송선과, 제 1 및 제 2 파장 전송선과 접속된 제 1 및 제 2 인덕티브 전송선과, 제 1 인덕티브 전송선과 제 1 출력포트사이에 구비된 제 1 PIN 다이오드, 및 제 2 인덕티브 전송선과 제 2 출력포트사이에 구비된 제 2 PIN 다이오드로 구성되되, 제 1 및 제 2 인덕티브 전송선은 기 설정된 주파수 대역에서 소정의 임피던스를 갖는 4㎛ 폭으로 구성되고, 16㎛ 폭 파장의 사분의 일 길이의 50Ω을 갖는 박막 마이크로스트립 라인으로 구성되는 것을 특징으로 한다. 상술한바와 같은 본 발명에 따르면, 스위칭 소자로 PIN 다이오드를 사용함과 아울러 BCB 기반의 다층구조로 제작함으로써, 바이어스 라인과 제어 전압의 수를 최소화하고, 기생 인덕턴스 성분을 최소화함과 동시에 스위치 제작의 소형화를 도모하는 효과가 있다.-
dc.titleBCB 기반의 다층구조를 이용한 고성능 광대역 PIN단극쌍투 진행파 스위치-
dc.title.alternativeHIGH-PERFORMANCE BROADBAND PIN SINGLE POLE DOUBLE THROW TRAVELING WAVE SWITCH USING MULTI-LAYERED OF BCB BASED-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor양경훈-
dc.contributor.nonIdAuthor양정길-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2008-0057353-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-0959385-0000-
dc.date.application2008-06-18-
dc.date.registration2010-05-14-
dc.publisher.countryKO-
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EE-Patent(특허)
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