우주용 ADC의 누적방사선량 영향 분석 The Analysis of Total Ionizing Dose Effects on Analog-to-Digital Converter for Space Application

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본 논문에서는 본 연구실에서 제안된 D㎛my Gate Assisted MOSFET을 이용하여 6bit SAR (Successive Approximation Register) ADC를 설계하였으며 이에 대한 대조군으로 Conventional MOSFET으로 동일한 회로를 설계하여 두 회로의 Co-60 Gamma Ray에 의한 누적방사선 영향을 비교 분석해 보았다. 설계된 SAR ADC는 Binary Capacitor DAC과 Dynamic Latch 형태의 Comparator 그리고 Logic으로 구성이 되었으며, 0.35㎛ standard CMOS공정으로 제작되었다. 방사선 조사 후 Conventional MOSFET을 이용한 ADC는 정상동작하지 못하였지만, Dummy Gate Assisted MOSFET을 사용한 ADC는 방사선 조사 후 DNL은 0.7LSB에서 2.0LSB, INL은 1.8LSB에서 3.2LSB로 다소 증가하였으나 정상적인 A/D 변환이 가능하다는 것을 확인하였다.
Publisher
대한전자공학회
Issue Date
2013-06
Language
Korean
Citation

전자공학회논문지, v.50, no.6, pp.85 - 90

ISSN
1016-135X
URI
http://hdl.handle.net/10203/201590
Appears in Collection
EE-Journal Papers(저널논문)
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