우주용 ADC의 누적방사선량 영향 분석 The Analysis of Total Ionizing Dose Effects on Analog-to-Digital Converter for Space Application

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dc.contributor.author김태효ko
dc.contributor.author이희철ko
dc.date.accessioned2015-11-20T12:37:04Z-
dc.date.available2015-11-20T12:37:04Z-
dc.date.created2014-04-29-
dc.date.created2014-04-29-
dc.date.issued2013-06-
dc.identifier.citation전자공학회논문지, v.50, no.6, pp.85 - 90-
dc.identifier.issn1016-135X-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/201590-
dc.description.abstract본 논문에서는 본 연구실에서 제안된 D㎛my Gate Assisted MOSFET을 이용하여 6bit SAR (Successive Approximation Register) ADC를 설계하였으며 이에 대한 대조군으로 Conventional MOSFET으로 동일한 회로를 설계하여 두 회로의 Co-60 Gamma Ray에 의한 누적방사선 영향을 비교 분석해 보았다. 설계된 SAR ADC는 Binary Capacitor DAC과 Dynamic Latch 형태의 Comparator 그리고 Logic으로 구성이 되었으며, 0.35㎛ standard CMOS공정으로 제작되었다. 방사선 조사 후 Conventional MOSFET을 이용한 ADC는 정상동작하지 못하였지만, Dummy Gate Assisted MOSFET을 사용한 ADC는 방사선 조사 후 DNL은 0.7LSB에서 2.0LSB, INL은 1.8LSB에서 3.2LSB로 다소 증가하였으나 정상적인 A/D 변환이 가능하다는 것을 확인하였다.-
dc.languageKorean-
dc.publisher대한전자공학회-
dc.title우주용 ADC의 누적방사선량 영향 분석-
dc.title.alternativeThe Analysis of Total Ionizing Dose Effects on Analog-to-Digital Converter for Space Application-
dc.typeArticle-
dc.type.rimsART-
dc.citation.volume50-
dc.citation.issue6-
dc.citation.beginningpage85-
dc.citation.endingpage90-
dc.citation.publicationname전자공학회논문지-
dc.identifier.kciidART001776757-
dc.contributor.localauthor이희철-
dc.contributor.nonIdAuthor김태효-
dc.subject.keywordAuthorSAR ADC-
dc.subject.keywordAuthorData Converter-
dc.subject.keywordAuthorIonizing Radiation-
dc.subject.keywordAuthorTotal Ionizing Dose-
dc.subject.keywordAuthorRadiation Effects-
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EE-Journal Papers(저널논문)
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