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1.3 μm)를 버퍼로 이용하는 HEMT 구조에서의 광전자 소자 집적에 관한 연구 = InGaAsP(λglink 차정호; Cha, Jung-Ho; et al, 한국과학기술원, 2006 |
(A) study on fabrication and analysis of long cavity laser diode using TIR = 전반사면을 이용한 레이저 제작과 특성분석에 관한 연구link Choi, Jung-Hwan; 최정환; et al, 한국과학기술원, 1997 |
Integration of lensed LED and heterojunction bipolar transistor for OEIC = 렌즈를 가진 LED와 HBT를 이용한 광전집적회로의 구현link Yang, O-Seung; 양오승; et al, 한국과학기술원, 1996 |
Integration of PIN and Vertical Junction Field Effect Transistor for Photodetector Optoelectronic Integrated Circuit M.K.Gong; Kwon, Young Se, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, PART 1 : REGULAR PAPERS AND SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, v.30, no.12B, pp.3893 - 3895, 1991-12 |
Low crosstalk (<-40dB) in 1.55 mu m high speed OEIC photoreceiver arrays with novel on-chip shielding GutierrezAitken, AL; Bhattacharya, P; Syao, KC; Yang, Kyounghoon; Haddad, GI; Zhang, X, ELECTRONICS LETTERS, v.32, no.18, pp.1706 - 1708, 1996-08 |
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