소스 전압을 높인 메모리 셀을 이용한 저전력 SRAMA Low Power SRAM Using Elevated Source Level Memory Cells
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 양병도 | ko |
| dc.contributor.author | 김이섭 | ko |
| dc.date.accessioned | 2013-03-03T18:29:00Z | - |
| dc.date.available | 2013-03-03T18:29:00Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 2004-08 | - |
| dc.identifier.citation | 전자공학회논문지 - SD, v.41, no.08, pp.705 - 710 | - |
| dc.identifier.issn | 1229-6368 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/79903 | - |
| dc.description.abstract | SRAM에서 쓰기 전력을 줄이기 위하여 소스 전압을 높인 메모리 셀을 이용한 저전력 SRAM을 제안하였다. 메모리 셀의 소스 전압을 GND에서 VT로 올리고 비트라인과 데이터버스의 프리차지 전압을 VDD에서 VDD-VT로 낮춤으로써 비트라인과 데이터버스의 스윙 전압을 줄였다. 이것은 면적의 증가와 속도 감소 없이 SRAM의 쓰기 전력을 크게 줄여준다. 8K×32비트의 SRAM이 0.25um CMOS 공정으로 제작되었다. 제작된 SRAM은 2.5V 전원과 300MHz 동작 주파수에서 쓰기 동작의 소모전력을 45% 줄였고, 최대 동작 주파수는 330MHz였다. | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.publisher | 대한전자공학회 | - |
| dc.title | 소스 전압을 높인 메모리 셀을 이용한 저전력 SRAM | - |
| dc.title.alternative | A Low Power SRAM Using Elevated Source Level Memory Cells | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.citation.volume | 41 | - |
| dc.citation.issue | 08 | - |
| dc.citation.beginningpage | 705 | - |
| dc.citation.endingpage | 710 | - |
| dc.citation.publicationname | 전자공학회논문지 - SD | - |
| dc.contributor.localauthor | 김이섭 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 양병도 | - |
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- EE-Journal Papers(저널논문)
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