DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 오재근 | ko |
dc.contributor.author | 이길호 | ko |
dc.contributor.author | 조병진 | ko |
dc.contributor.author | 김종철 | ko |
dc.date.accessioned | 2013-03-03T08:54:24Z | - |
dc.date.available | 2013-03-03T08:54:24Z | - |
dc.date.created | 2012-02-06 | - |
dc.date.created | 2012-02-06 | - |
dc.date.issued | 1996-07 | - |
dc.identifier.citation | 응용물리, v.9, no.4, pp.506 - 512 | - |
dc.identifier.issn | 1013-7009 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/78057 | - |
dc.language | Korean | - |
dc.publisher | 한국물리학회 | - |
dc.title | Si 기판에 Ge 사전-비정질화와 추가 RTA 공정을 이용한 얕은 p+-n 접합 형성 | - |
dc.type | Article | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.citation.volume | 9 | - |
dc.citation.issue | 4 | - |
dc.citation.beginningpage | 506 | - |
dc.citation.endingpage | 512 | - |
dc.citation.publicationname | 응용물리 | - |
dc.contributor.localauthor | 조병진 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 오재근 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이길호 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김종철 | - |
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