섭동이론을 이용한 반도체 레이저에서의 매개증폭 해석Analysis of parametric amplification in a semiconductor laser using perturbation theory
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 조성대 | ko |
| dc.contributor.author | 이창희 | ko |
| dc.contributor.author | 신상영 | ko |
| dc.date.accessioned | 2013-03-03T07:20:03Z | - |
| dc.date.available | 2013-03-03T07:20:03Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 2000-06 | - |
| dc.identifier.citation | 한국광학회지, v.11, no.3, pp.187 - 192 | - |
| dc.identifier.issn | 1225-6285 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/77751 | - |
| dc.description.abstract | 반도체 레이저의 비션형 특성에 의하여 발생하는 매개증폭에 대하여, 반도체 레이저 다이오드의 비율방정식을 섭동 이론을 이용하여 해석하고 그 결과에 대하여 논의하였다. 매개증폭에 의하여 발생하는 이득은 펌프 변조전류가 증가하여 이득된 공진주파수에 가까워질수록 증가하였으며, 바이어스 전류와 반도체 레이저의 감쇄상수가 증가할수록 감소하였다. 또한 큰 매개이득을 얻기 위해서는 펌프 변조전류와 신호 변조전류 사이의 위상을 정합시켜야 하며, 큰 신호 변조전류에서는 증포된 광 출력의 포화로 인하여 매개이득이 감소하였다. | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.publisher | 한국광학회 | - |
| dc.title | 섭동이론을 이용한 반도체 레이저에서의 매개증폭 해석 | - |
| dc.title.alternative | Analysis of parametric amplification in a semiconductor laser using perturbation theory | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.citation.volume | 11 | - |
| dc.citation.issue | 3 | - |
| dc.citation.beginningpage | 187 | - |
| dc.citation.endingpage | 192 | - |
| dc.citation.publicationname | 한국광학회지 | - |
| dc.contributor.localauthor | 이창희 | - |
| dc.contributor.localauthor | 신상영 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 조성대 | - |
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