1times8 배열, 7.8 μmμm 최대반응 GaAs/AlGaAs 양자우물 적외선 검출기

Abstract

장파장영역의 적외선 검출을 위해 구속­비구속 상태간 전이를 이용한 GaAs/AlGaAs 이종접합 다중양자우물구조형태 검출기를 제작하여 전기적, 광학적 특성을 살펴보았다. 시료는 MBE를 이용하여 SI-GaAs(100)기판 위에 장벽 500 \AA\AA , 폭 40 \AA\AA 의 양자우물구조를 25층 성장시켰으며, Al의 몰분율은 0.28로 하였고 우물의 중심부 20 \AA\AA 은 2×1018cm−32×1018cm−3 의 농도로 Si n-도핑을 하였다. 200 ×× 200 μm2μm2 면적의 사각형 화소가 되도록 시료를 식각한 후 Au/Ge로 전극을 붙여 1 ×× 8 검출기 배열을 제작하였다. 10K의 온도에서 적외선 광원에 대한 광특성을 조사한 결과 1차원으로 배열한 8개의 단일소자 모두 7.8 μmμm 파장에서 최대반응을 보였으며 검출률( D＊D＊ )은 최대 4.9×109cmHz−−−√/W4.9×109cmHz/W 이었다.