재료 : MOCVD 법에 의한 Cu 박막의 증착속도 및 증착두께 분포Deposition Rate and Thickness Distribution of Cu Film by MOCVD Process

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본 연구에서는 TIMA를 전구체로 하는 수직형 MOCVD 반응기를 대상으로 수학적 모델을 세우고 컴퓨터에 의한 수치모사를 수행하여 반응기 설계 변수 및 공정조건이 AI의 증착속도와 증착두께 분포에 미치는 영향을 알아보았다. 수학적 모델은 수직형 반응기를 축대칭으로 보아 2차원으로 수립하였으며 반응기내의 운동량전달, 열전달, 물질전달을 포함한다. 이 수학적 모델의 지배 방정식들에 대하여 Galerkin 유한요소법을 적용하여 수치적으로 반응기 내의 유체 흐름 구조, 온도분포와 반응물의 농도 분포를 구하였다. 수치모사 결과 AI의 증착속도는 반응기 압력이 0.47torr, 기판온도가 250℃, 유량이 7.5sccm일 경우, 190-230Å/min로 나타났다.
Description
생명화학공학과
Publisher
한국화학공학회
Issue Date
1995-01
Language
KOR
Citation

THEORIES AND APPLICATIONS OF CHEMICAL ENGINEERING, v.1, no.1, pp.844-847

ISSN
1225-9004
URI
http://hdl.handle.net/10203/71068
Appears in Collection
NE-Journal Papers(저널논문)
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