10V 이하의 프로그래밍 전압을 갖는 Ta2O5/SiO2로 구성된 안티퓨즈 소자Ta2O5/SiO2 Based Antifuse Device having Programming Voltage below 10 V
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이재성 | ko |
| dc.contributor.author | 오세철 | ko |
| dc.contributor.author | 류창명 | ko |
| dc.contributor.author | 이용수 | ko |
| dc.contributor.author | 이용현 | ko |
| dc.date.accessioned | 2013-02-27T09:23:05Z | - |
| dc.date.available | 2013-02-27T09:23:05Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 1995-08 | - |
| dc.identifier.citation | 센서학회지, v.4, no.3, pp.80 - 88 | - |
| dc.identifier.issn | 1225-5475 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/67728 | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.publisher | 한국센서학회 | - |
| dc.title | 10V 이하의 프로그래밍 전압을 갖는 Ta2O5/SiO2로 구성된 안티퓨즈 소자 | - |
| dc.title.alternative | Ta2O5/SiO2 Based Antifuse Device having Programming Voltage below 10 V | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.citation.volume | 4 | - |
| dc.citation.issue | 3 | - |
| dc.citation.beginningpage | 80 | - |
| dc.citation.endingpage | 88 | - |
| dc.citation.publicationname | 센서학회지 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이재성 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 오세철 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 류창명 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이용현 | - |
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