RF 글로우 방전에 의한 비정질 실리콘 PIN 형 태양전지에서 P 측의 최적두께 결정
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이동한 | ko |
| dc.contributor.author | 이주천 | ko |
| dc.date.accessioned | 2013-02-25T12:45:48Z | - |
| dc.date.available | 2013-02-25T12:45:48Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 1985 | - |
| dc.identifier.citation | 새물리, v.25, no.10, pp.40 - 45 | - |
| dc.identifier.issn | 0374-4914 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/62282 | - |
| dc.language | English | - |
| dc.publisher | 한국물리학회 | - |
| dc.title | RF 글로우 방전에 의한 비정질 실리콘 PIN 형 태양전지에서 P 측의 최적두께 결정 | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.citation.volume | 25 | - |
| dc.citation.issue | 10 | - |
| dc.citation.beginningpage | 40 | - |
| dc.citation.endingpage | 45 | - |
| dc.citation.publicationname | 새물리 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이동한 | - |
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