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NiSi2 / Si ( 111 ) 계면에 대한 고분해능 투과전자현미경 연구 이은하; 이정용; 최치규, 대한금속·재료학회지, v.32, no.11, pp.1331 - 1337, 1994-12 |
PVD 방법에 의한 TiN barrier metal 형성과 공정개발 최치규; 강민성; 박형호; 염병렬; 서경수; 이종덕; 김건호; et al, 한국진공학회지, v.6, no.3, pp.255 - 262, 1997-12 |
고밀도 플라즈마 CVD 방법에 의한 TiN barrier metal 형성과 특성 최치규; 강민성; 오경숙; 이유성; 오대현; 황찬용; 손종원; et al, 한국재료학회지, v.9, no.11, pp.1129 - 1136, 1999-12 |
고상 에피택셜 성장에 의한 PtSi 박막의 형성 최치규; 강민성; 이개명; 김상기; 서경수; 이정용; 김건호, 한국진공학회지, v.4, no.3, pp.319 - 326, 1995-12 |
고상 에피택시에 의한 초박막 CoSi2 형성과 Si/epi-CoSi2/Si(111)의 이중헤테로 에피택셜 성장 최치규; 강민성; 문종; 현동걸; 김건호; 이정용, 한국재료학회지, v.8, no.2, pp.165 - 172, 1998-12 |
니켈 실리사이드의 상에 따른 전자구조가 Auger 스펙트럼에 미치는 효과 김성철; 박재돈; 황해선; 김건호; 이정주; 김인호; 서동주; et al, 새물리, v.32, no.1, pp.115 - 120, 1992-12 |
동시증착에 의한 Si(111) - 7×7 기판 위에 TiSi₂ 에피택셜 성장 최치규; 류재연; 오상식; 염병렬; 박형호; 조경의; 이정용; et al, 한국진공학회지, v.3, no.4, pp.405 - 413, 1994-12 |
반도체형 epi-β-FeSi2/Si(111) 구조의 형성과 전자구조 김건호; 임태균; 박정환; 이정주; 김현수; 강정수; 최치규; et al, 새물리, v.37, no.3, pp.258 - 268, 1997-12 |
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