고속 열 확산 공정에 의해 형성된 Phosphorus Source/Drain을 갖는 NMOS 트랜지스터의 특성
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 조병진 | ko |
| dc.contributor.author | 김정규 | ko |
| dc.contributor.author | 김충기 | ko |
| dc.date.accessioned | 2013-02-25T07:22:39Z | - |
| dc.date.available | 2013-02-25T07:22:39Z | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.created | 2012-02-06 | - |
| dc.date.issued | 1990-09 | - |
| dc.identifier.citation | 전자공학회논문지, pp.1409 - 11418 | - |
| dc.identifier.issn | 1975-2377 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/60522 | - |
| dc.language | Korean | - |
| dc.publisher | 대한전자공학회 | - |
| dc.title | 고속 열 확산 공정에 의해 형성된 Phosphorus Source/Drain을 갖는 NMOS 트랜지스터의 특성 | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.citation.beginningpage | 1409 | - |
| dc.citation.endingpage | 11418 | - |
| dc.citation.publicationname | 전자공학회논문지 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 조병진 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김정규 | - |
- Appears in Collection
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.