TiN와 Pt전극 위에 증기상 반응 스퍼터링 방법을 통한 $PbTiO_3$ 박막의 제조와 특성분석Fabrication and characterization of $PbTiO_3$ thin films deposited on TiN and Pt electrodes via vapor phase reaction sputtering
Pt과 TiN 전극 위에 $PbTiO_3$ 박막을 제조하고 분석하였다. 연구 목적은 강유전체 coaxial nanowires(core:TiN, shell:$PbTiO_3$)의 제조 가능성을 보는 것이다. 연구 목적을 얻기 위해서 기초 실험으로 TiN과 $PbTiO_3(PTO)$를 각각 전극과 강유전체 박막을 제조하는 것이다. 강유전체 박막은 Pt을 전극으로써 널리 사용되어진다. 하지만, TiN박막은 강유전체 박막의 전극으로써 연구되어진 바는 없다.
DC 스퍼터링과 ALD법을 이용하여 $TiO_2$를 증착하고, 연속적으로 PbO 증기상 반응 스퍼터링함으로써 PTO 박막을 성공적으로 제조하였다. XRD를 통해서 Pt과 TiN기판위에 PTO박막의 페로브스카이트상을 확인하였다. 하지만 blocking layer 때문에 TiN 기판 위에 스퍼터링 된 $TiO_2$와 PbO 증기상 반응을 하여 생성된 PTO 박막의 경우 도메인의 스위칭이 되지 않았다. TiN와 PTO 사이의 blocking layer는 강유전체의 imprint를 야기시킨다. 하지만, Pt과 TiN 기판 위에 ALD $TiO_2$ 와 PbO 증기상 반응을 하여 생성된 PTiO 박막의 경우 스위칭이 됐으며, 보다 향상된 강유전 특성을 얻을 수 있었다.
간략하게 말하면, TiN기판 위에 ALD $TiO_2$ 와 PbO 증기상 반응을 통해서 성공적인 PTO 박막을 제조함으로써 강유전체 coaxial nanowires(core:TiN, shell:$PbTiO_3$)의 제조가능성을 제시할 수 있었다.