RF magnetron sputtering 법을 이용한 Ag 가 첨가된 $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막의 형성 및 특성평가

Abstract

본 연구에서는 $Ge_2Sb_2Te_5$ 단일 타겟을 이용하여 RF magnetron sputtering법으로 증착하였으며, 균일하고 밀도 높은 $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막을 얻기 위한 조건을 잡기위해 다양한 RF Power 와 Ar 압력 조건을 변수로 하여 실험을 하였다. 이렇게 증착된 박막의 미세구조와 전기적 특성을 비교하였다. 비정질로 증착 된 $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막의 결정화를 조사하기 위하여 여러 온도에서 RTA 로 열처리를 한 뒤 XRD 분석을 하였다. Four point probe 로 각 어닐링 온도에 따른 비저항을 비교하였고, SEM 분석을 통해 미세구조 관찰과 두께를 측정하였으며 열처리 전ㆍ후의 두께 변화 및 밀도 변화를 측정하기 위해 XRR을 이용하였다. 위의 방법으로 최적의 $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막의 증착 조건을 잡은 뒤, co-sputtering 법으로 $Ge_2Sb_2Te_5$ 에 소량의 Ag을 도핑하여 증착된 박막의 결정성과 전기적 특성을 평가하였다.