반응성 스퍼터링 방법으로 제조시 스퍼터 파라메터가 ITO 박막의특성에 미치는 영향Effects of sputtering parameter on properties of ITO film formed by an reactive sputtering

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dc.contributor.advisor이택동-
dc.contributor.advisorLee, Taek-Dong-
dc.contributor.author오경수-
dc.contributor.authorOh, Kyung-Soo-
dc.date.accessioned2011-12-15T01:45:27Z-
dc.date.available2011-12-15T01:45:27Z-
dc.date.issued1995-
dc.identifier.urihttp://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=99399&flag=dissertation-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/51549-
dc.description학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 신소재공학과, 1995.2, [ v, 71, 23 p. ]-
dc.description.abstractITO 박막의 전기, 광학적 특성은 박막의 증착 조건에 따라 매우 심하게 변화한다. 특히 반응성 스퍼터 시에는 증착 과정에서 주입되는 산소 유량과 기판 온도는 박막의 특성을 결정하는 중요한 변수 중의 하나이다. 본 실험에서는 In-10\%Sn 합금 타겟을 사용하여 주입되는 산소의 유량과 기판 온도를 조절하면서 전기 저항의 변화와 가시광선 투과도의 변화를 관찰 하였다. 또한 타겟과 기판 사이의 거리는 10cm와 5cm 두 경우로 나누어 실험 하였다. 그리고 반응성 스퍼터 시 발생하는 플라즈마 분안정과 아크를 제어하기 위해서 아르곤과 산소 의 주입을 각각 타겟과 기판 가까이까지 연장시킨 "연장 튜브"법을 써서 실험하였다. 산소 유량의 증가에 따라 박막의 전기저항은 계속 감소하여 타겟과 기판 사이의 거리가 10cm의 경우는 $19.96 \Omega/\Box$, 5cm의 경우는 $18.80 \Omega/\Box$ 의 전기 저항치를 나타낸 후, 다시 증가하였으며, 광투과도의 경우는 본 실험에서 정한 실험 영역에서는 85\% 이상을 유지하며 일정하게 유지되었다. 산소 유량 변화에 따른 전기 저항의 변화는 Van der Pauw 방법과 SEM의 측정 결과로 볼 때 박막 구조의 변화에 의한 carrier (전자) 유동도의 변화가 전기 저항을 결정하는 주요 요인으로 판단된다. Carrier 유동도의 변화는 저항의 변화와 매우 유사하다. 즉 최저 저항치를 나타내는 박막보다 산소 주입량보다 적은 산소가 주입 되었을 경우, 박막의 구조가 grain 형상을 이루지 못하고 fiber가 엉킨 것 같은 불연속 구조를 이루게 되고, 이러한 fiber의 크기도 가장 좋은 특성을 나타내는 시편에서의 grain 크기보다 작음으로 산란 효과가 강하게 작용하여 전자의 유동도를 감소시키는 것으로 판단된다. 또한 최적 조건보다 과다의 산소가 주입되었을 경우, grain size가 감소되는 경향을 나타내고 있어 grain size의 감소로 인한 grain boundary의 증가와 그로인한 산소 공공의 감소로 인한 carrier 농도의 감소의 두 가지 요인에 의해서 전기 저항이 증가하며, 산소 유량이 많을수록 carrier 농도 감소가 더 큰 역할을 한다. 결론적으로 미세한 산소 유량 범위 내에서는 이러한 구조적 요인에 의한 carrier 유동도의 변화가 ITO박막의 전기 저항을 증가 또는 감소 시키는 주된 원인으로 판단된다. 그리고 XRD분석 결과, 낮은 전기 저항과 높은 광투과율을 갖는 최적 조건에서 박막은 random한 배향을 나타내었으며 최적 조건보다 적거나 많은 산소 유량에서 만들어진 박막에서는 (211)과 (400) 방향으로 우선 배향(preferred orientation)되는 것이 발견되었다. 기판 온도의 증가에 따라 박막 구조는 비정질에서 결정질로 바뀌어 가는 것이 관찰되었으며 이에 따라 전기 전도도는 전자의 농도와 유동도가 증가 하면서 증가하였다. 광투과도는 박막이 비정질인 경우 다소 낮은 값을 나타내었다. 이상과 같은 결과는 타겟과 기판 사이의 거리를 10cm로 했을 경우나 5cm로 했을 경우 모두 관찰되었으며, 전기저항, 광투과도 등 측정치의 차이는 증착 속도를 제외하고는 커다란 차이는 없었다.kor
dc.languagekor-
dc.publisher한국과학기술원-
dc.subjectElectrical resistance-
dc.subjectTransmittence-
dc.title반응성 스퍼터링 방법으로 제조시 스퍼터 파라메터가 ITO 박막의특성에 미치는 영향-
dc.title.alternativeEffects of sputtering parameter on properties of ITO film formed by an reactive sputtering-
dc.typeThesis(Master)-
dc.identifier.CNRN99399/325007-
dc.description.department한국과학기술원 : 신소재공학과, -
dc.identifier.uid000937002-
dc.contributor.localauthor오경수-
dc.contributor.localauthorOh, Kyung-Soo-
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MS-Theses_Master(석사논문)
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